燒結(jié)銀技術(shù)的優(yōu)勢與特點(diǎn)
1.什么是燒結(jié)銀技術(shù)
20世紀(jì)80年代末期，Scheuermann等研究了一種低溫?zé)Y(jié)技術(shù)，即通過銀燒結(jié)銀顆粒AS9385實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件與基板的互連方法。

SHAREX善仁新材是燒結(jié)銀產(chǎn)品和服務(wù)的市場。我們針對許多客戶的不同應(yīng)用提供了各種燒結(jié)銀解決方案，可以提供無壓燒結(jié)銀，有壓燒結(jié)銀，銀玻璃燒結(jié)銀，納米燒結(jié)銀等，配合了100多家燒結(jié)銀客戶，累積了豐富的燒結(jié)銀知識(shí)和應(yīng)用工藝經(jīng)驗(yàn)。

在這種燒結(jié)過程中，在適當(dāng)?shù)膲毫?、溫度和時(shí)間條件下，經(jīng)過持續(xù)加熱，有壓燒結(jié)銀AS9385由粉末形態(tài)變?yōu)楣腆w結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)焊接材料相比，這種技術(shù)產(chǎn)生的燒結(jié)鍵更可靠，能夠提高器件的性能和壽命。

SHAREX的AS9385銀燒結(jié)技術(shù)也被成為低溫連接技術(shù)（Low temperature joining technique,LTJT），作為一種新型無鉛化芯片互連技術(shù)，AS9385燒結(jié)銀可在低溫（＜250℃）條件下獲得耐高溫（＞700℃）和高導(dǎo)熱率（~240 W/m·K）的燒結(jié)銀芯片連接界面，具有以下幾方面優(yōu)勢：

相對于焊料合金，銀燒結(jié)技術(shù)可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環(huán)境溫度及使用壽命。目前，AS9385銀燒結(jié)技術(shù)已受到高溫功率電子領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，它特別適合作為高溫SiC器件等寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊的芯片互連界面材料。

芯片轉(zhuǎn)印是指將芯片在銀膜上壓一下，利用芯片銳利的邊緣，在銀膜上切出一個(gè)相同面積的銀膜并粘連到芯片背面。