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AS9335納米燒結銀大功率LED燒結銀

更新時間:2025-10-09 [舉報]
IGBT應用和有壓燒結銀工藝流程介紹

當前功率半導體行業(yè)正在面臨SiC和GaN等寬禁帶半導體強勢崛起,隨著電動汽車市場的增量放大,消費者對汽車的高續(xù)航、超快充等要求越來越高,電力電子模塊的功率密度、工作溫度及可靠性的要求也在越來越復雜,封裝成了提升可靠性和性能的關鍵。封裝是承載器件的載體,也是SiC芯片可靠性、充分發(fā)揮性能的關鍵。

善仁新材的納米銀燒結工藝,通過銀原子的擴散達到連接目的。在燒結過程中,銀顆粒通過接觸形成燒結頸,銀原子通過擴散遷移到燒結頸區(qū)域,從而燒結頸不斷長大,相鄰銀顆粒之間的距離逐漸縮小,形成連續(xù)孔隙網絡

大功率LED封裝?:善仁燒結銀漿(AS9300系列)中的燒結銀漿(AS9331、AS9332)用于高功率LED的封裝,提高LED的發(fā)光效率和壽命。

標簽:射頻器件燒結銀碳化硅燒結銀
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