晶圓經(jīng)過前道工席后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時(shí)，生產(chǎn)效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會(huì)對(duì)晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復(fù)雜。

刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對(duì)加工物進(jìn)行清洗。半自動(dòng)劃片機(jī)LX3356機(jī)臺(tái)可作業(yè)8時(shí)wafer，含自動(dòng)光學(xué)補(bǔ)償、聚焦及自特征點(diǎn)功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測量、基準(zhǔn)線補(bǔ)償調(diào)整等。可自動(dòng)檢測切割刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測。

切片工序的關(guān)鍵部分是切割刀片的修整(dressing)。在非監(jiān)測的切片系統(tǒng)中，修整工序是通過一套反復(fù)試驗(yàn)來建立的。在刀片負(fù)載受監(jiān)測的系統(tǒng)中，修整的終點(diǎn)是通過測量的力量數(shù)據(jù)來發(fā)現(xiàn)的，它建立佳的修整程序。這個(gè)方法有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn):不需要來佳的刀片性能，和沒有合格率損失，該損失是由于用部分修整的刀片切片所造成的質(zhì)量差。

藍(lán)膜由于受其溫度影響乃粘性度會(huì)發(fā)生變化，而且本身粘性度較高，因此，一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進(jìn)行后封裝工藝，而非直接進(jìn)行倒封裝工藝做Inlay時(shí)，可以考慮使用藍(lán)膜。
晶圓倒片機(jī)是用來調(diào)整集成電路產(chǎn)線上晶圓生產(chǎn)材料序列位置的一款設(shè)備，它的任務(wù)是將產(chǎn)線上的晶圓通過制程需要進(jìn)行分批、合并、翻轉(zhuǎn)后進(jìn)行下一道程序，這就要求晶圓倒片機(jī)擁有的傳送效率和潔凈程度。通俗來講，更方便制造芯片，并且能夠在高度環(huán)境要求下制造更好的芯片。
外圓切割組然操作簡單，但據(jù)片剛性差，切割全過程中鋸片易方向跑偏.造成被切割工們的平面度差；而內(nèi)圓切割只有進(jìn)行直線切割，沒法進(jìn)行斜面切割。線鋸切割技術(shù)具備割縫窄、率、切成片、可進(jìn)行曲線圖切別等優(yōu)點(diǎn)成為口前普遍選用的切割技術(shù)。

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