晶圓的集成電路制造，為了降低器件熱阻、提高工作散熱及冷卻能力、便于封裝，在硅晶圓正面制作完集成電路后，需要進(jìn)行背面減薄。晶圓的背面研磨工藝，是在晶圓的正面貼一層膜保護(hù)已經(jīng)制作好的集成電路，然后通過(guò)研磨機(jī)來(lái)進(jìn)行減薄。晶圓背面研磨減薄后，表面會(huì)形成一層損傷層，且翹曲度高，容易破片。為了解決這些問(wèn)題，需要對(duì)晶圓背面進(jìn)行濕法硅腐蝕，去除損傷層，釋放晶圓應(yīng)力，減小翹曲度及使表面粗糙化。使用槽式的濕法機(jī)臺(tái)腐蝕時(shí)，晶圓正面及背面均與腐蝕液接觸，正面貼的膜耐腐蝕，從而保護(hù)正面的集成電路。使用單片作業(yè)的濕法機(jī)臺(tái)，晶圓的正面通常已被機(jī)臺(tái)保護(hù)起來(lái)，不會(huì)與腐蝕液或者腐蝕性的氣體有接觸，可以撕膜后再進(jìn)行腐蝕。

硅片是制作晶體管和集成電路的原料。一般是單晶硅的切片。硅片，是制作集成電路的重要材料，通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導(dǎo)體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運(yùn)算能力?？茖W(xué)技術(shù)的發(fā)展不斷推動(dòng)著半導(dǎo)體的發(fā)展。自動(dòng)化和計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展，使硅片（集成電路）這種高技術(shù)產(chǎn)品的造價(jià)已降到十分低廉的程度。

晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針，與晶粒上的接點(diǎn)接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成立的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被淘汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增制造成本。