威?；厥諑?kù)存芯片 收購(gòu)京瓷電容
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OTA測(cè)試可以將產(chǎn)品內(nèi)部輻射干擾、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、天線的因素、射頻芯片收發(fā)算法等因素考慮進(jìn)去，是非常接近產(chǎn)品實(shí)際使用場(chǎng)景的測(cè)試手段。我們以早的3GUESISOOTA測(cè)試為例來了解OTA測(cè)試所需的基本環(huán)境：吸波暗室，轉(zhuǎn)盤（控制UE旋轉(zhuǎn)）天線（在某一固置接收UE輻射信號(hào)）用于提供天線虛擬信號(hào)的無線測(cè)試平臺(tái)（如KeysightUXM系列，圖中未顯示）測(cè)量過程中將通過旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)臺(tái)來控制并測(cè)量UE天線在不同方向的輻射特性。
