只要想在中國市場分羹的各大手機(jī)廠商，肯定會產(chǎn)生非常多的用不上的ic芯片呆料，別著急真的就扔咯，當(dāng)年蘋果單靠著回收ic芯片、回收ic主板都為自己節(jié)約了上10億成本。
內(nèi)存芯片：電路板上貼的一塊塊黑色的就是內(nèi)存芯片（內(nèi)存顆粒），顆粒個數(shù)越多，內(nèi)存條的容量越大。內(nèi)存條規(guī)格有DDR 、DDR2、 DDR3、 DDR3L、 DDR4 甚至還有更老的SDRAM內(nèi)存。
內(nèi)存容量，當(dāng)然容量越大越好，內(nèi)存頻率，內(nèi)存讀寫速度，由頻率決定，頻率越高，性能越強(qiáng)，內(nèi)存顆粒，全世界能生產(chǎn)內(nèi)存顆粒，，優(yōu)選三星的顆粒。
內(nèi)存時序，就是CPU從內(nèi)存中找到數(shù)據(jù)的延時時間，相同規(guī)格下（DDR代數(shù)、頻率等等），時序越小，延時越低，內(nèi)存性能越好。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。
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