當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質,使用加大介質層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質材料就成了當務之急。在高介電柵介質材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品
鉭 Ta，金屬元素，主要存在于鉭鐵礦中，同鈮共生。鉭的硬度適中，富有延展性，可以拉成細絲式制薄箔。其熱膨脹系數很小。鉭有非常出色的化學性質，具有的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件下，對鹽酸、及“王水”都不反應
但鉭在熱的中能被腐蝕，在150℃以下，鉭不會被腐蝕，只有在此溫度才會有反應，在175度的中1年，被腐蝕的厚度為0.0004毫米，將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年，表層僅損傷0.006毫米
鉭還有非常出色的化學性質，具有的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件下，對鹽酸、及“王水”都不反應。
鉭的硬度較低，并與含氧量相關，普通純鉭，退火態(tài)的維氏硬度僅有140HV [1] 。它的熔點高達2995℃
鉭雖然在19世紀初就已被發(fā)現(xiàn)了，但直到1903年才制出了金屬鉭，1922年開始工業(yè)生產鉭。因此，世界鉭工業(yè)的發(fā)展始于20世紀20年代，中國鉭工業(yè)始于1956年
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