2018年標(biāo)志性的轉(zhuǎn)變---使用碳化硅MOSFET替換傳統(tǒng)硅基IGBT于主驅(qū)逆變器中，為碳化硅技術(shù)在電動(dòng)汽車中的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。此后，多家國內(nèi)新能源汽車品牌紛紛投身碳化硅器件的研發(fā)應(yīng)用。新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，如800V高壓快充，以及新能源汽車市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)張，促進(jìn)了碳化硅的飛速發(fā)展。

大面積燒結(jié)銀的應(yīng)用拓展
SHAREX善仁新材的燒結(jié)銀技術(shù)作為封裝領(lǐng)域的一個(gè)突破，憑借無鉛、環(huán)保性和的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能獲得了廣泛關(guān)注。該技術(shù)已在市場(chǎng)上得到了大范圍的認(rèn)可。在逆變器系統(tǒng)中，燒結(jié)銀可以被應(yīng)用于芯片與氮化硅AMB基板的邦定；或用于DTS燒結(jié)芯片頂部處理；或再將功率模塊焊接到散熱器底板上。

從2022年9月份開始，善仁新材開發(fā)的針對(duì)功率模塊焊接到散熱器上的大面積有壓燒結(jié)銀AS9387，在珠三角的客戶端得到客戶的廣泛認(rèn)可，此款燒結(jié)銀可以200度的燒結(jié)條件下表現(xiàn)很好的性能，幫助客戶實(shí)現(xiàn)了的散熱效果。此款燒結(jié)銀不但可以在金銀表面進(jìn)行燒結(jié)，也可以在裸銅表面上進(jìn)行燒結(jié)，并且剪切強(qiáng)度高達(dá)50MPA以上。

AS9378燒結(jié)銀解決了以下三大問題：
1：大面積燒結(jié)會(huì)大幅增加客戶對(duì)燒結(jié)銀膏的用量，而燒結(jié)銀成本相對(duì)較高，作為中國燒結(jié)銀的者，善仁新材的解決了這一困擾客戶的難題。

功率模塊封裝技術(shù)的重要趨勢(shì)之一是在功率模塊中越來越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品，特別是在電動(dòng)車的應(yīng)用中。這導(dǎo)致了對(duì)能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長的需求，例如銀燒結(jié)芯片粘接、的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結(jié)構(gòu)化底板以及高溫穩(wěn)定的封裝材料。

善仁新材的系列燒結(jié)銀已經(jīng)出口到德國，美國，英國，俄羅斯，馬來西亞，芬蘭等國家。
再次展示了善仁新材的“扎根中國，服務(wù)全球”的戰(zhàn)略格局。

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