2MoS2+ 7 O2→ 2 MoO3　+ 4 SO2　可以用鈦鐵試劑來檢驗生成的三氧化鉬。將產(chǎn)物用氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液處理（原理是將三氧化鉬轉(zhuǎn)化為鉬酸鹽），然后滴加鈦鐵試劑溶液，會和生成的鉬酸鈉或鉬酸鉀反應(yīng)，產(chǎn)生金黃色溶液。這種方法很靈敏，微量的鉬酸鹽都能被檢測出來。而如果沒有三氧化鉬生成，溶液就不會產(chǎn)生金黃色，因為二硫化鉬不和氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液反應(yīng)。

二硫化鉬還可成為制作晶體管的新型材料。相較于同屬二維材料的石墨烯，二硫化鉬擁有1.8eV的能帶隙,而石墨烯則不存在能帶隙，因此，二硫化鉬可能在納米晶體管領(lǐng)域擁有很廣闊的應(yīng)用空間。 而且單層二硫化鉬晶體管的電子遷移率高可達約500 cm^2/(V·s), 電流開關(guān)率達到1×10^8.

讓電子制造者驚喜的是，所有TMDs均是半導體。它們和石墨烯的薄度近乎相同（在二硫化鉬中，兩層硫原子把一層鉬原子像“三明治”那樣夾在中間），但是它們卻有其他優(yōu)點。就二硫化鉬而言，優(yōu)點之一是電子在平面薄片中的運行速度，即電子遷移率。二硫化鉬的電子遷移速率大約是100cm2/vs（即每平方厘米每伏秒通過100個電子），這遠低于晶體硅的電子遷移速率1400 cm2/vs ，但是比非晶硅和其他超薄半導體的遷移速度更好，科學家正在研究這些材料，使其用于未來電子產(chǎn)品，如柔性顯示屏和其他可以靈活伸展的電子產(chǎn)品。

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