燒結(jié)銀AS9376的關(guān)鍵特性適配HPC需求
性能指標 AS9376參數(shù) HPC需求匹配性:燒結(jié)溫度? ≤180℃(峰值溫度) 兼容低溫封裝工藝(避免熱損傷)
燒結(jié)銀AS9376燒結(jié)銀的導(dǎo)電率? ≥1×10? S/cm(燒結(jié)后) 支持高密度互連(電阻率低至1.6 μΩ·cm)
?熱膨脹系數(shù)(CTE)?? 可定制(≈5-8 ppm/℃) 匹配硅/陶瓷基板(ΔCTE <5 ppm/℃)
燒結(jié)銀AS9376的致密化率? >95%(常壓燒結(jié)) 減少孔隙率(<2%)提升可靠性
?附著力? ≥45 MPa(劃格法) 抗機械應(yīng)力(滿足芯片堆疊需求)
燒結(jié)銀AS9376實施建議與驗證方法
?燒結(jié)曲線設(shè)計:
推薦兩段式工藝:150℃預(yù)燒結(jié)(5 min)+峰值溫度180℃(3℃/s升溫,10 min保溫)。
燒結(jié)銀AS9375的可靠性測試:
PCT測試(100 bar/85℃)評估體積變化率(ΔV/V <0.5%)。
高溫加速老化(85℃/85%RH/1000小時)監(jiān)測電阻漂移率。
若需進一步探討燒結(jié)銀AS9376在特定HPC應(yīng)用(如量子計算芯片互連)中的定制化方案,或需要具體測試數(shù)據(jù)支持,請?zhí)峁└嗉夹g(shù)細節(jié)或合作需求。
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