深圳GSI鉭鈮礦化驗(yàn)測(cè)試機(jī)構(gòu)"以"行為公正、方法科學(xué)、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、服務(wù)"為質(zhì)量方針，秉承"質(zhì)量，客戶至上"的服務(wù)宗旨，愿以準(zhǔn)確的檢驗(yàn)、公正的、快捷的代理、滿意的咨詢竭誠(chéng)為各行各業(yè)的顧客提供的質(zhì)量技術(shù)服務(wù)，并不斷豐富服務(wù)內(nèi)容、完善服務(wù)手段、提高服務(wù)質(zhì)量，成為備受客戶信賴的技術(shù)合作伙伴。

用作超硬質(zhì)材料添加劑，可制備純的五氯化鉭：用于噴涂，增加變壓器、集成線路、二極管的電穩(wěn)定性

一定工作壓力下，制備的氮化鉭薄膜硬度高達(dá)４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因，并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構(gòu)變化的原因

研究表明，影響氮化鉭薄膜結(jié)合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度，氮分壓比、濺射電流為次要因素；氮分壓對(duì)氮化鉭薄膜的硬度影響較大

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細(xì)?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時(shí)還發(fā)現(xiàn)，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(zhǎng)的晶面會(huì)有改變。

氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮?dú)饣虬睔庠?100℃左右直接氮化制得；
2、以金屬鉭和氮?dú)鉃樵现苽涞g，反應(yīng)式如下：2Ta+N2=2TaN。

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點(diǎn)3090℃，電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸，易被硫酸和硝酸和過氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類質(zhì)同晶混合物，和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應(yīng)或700～1000℃下使鉭粉和氮?dú)夥磻?yīng)生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點(diǎn)制造電阻薄膜器件。

生產(chǎn)晶書鉭的原料。也用于電子工業(yè)。供拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學(xué)玻璃用,化工中可作催化劑。

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