大硅片方面，目前中環(huán)股份主導(dǎo)的創(chuàng)新產(chǎn)品210硅片正在大幅擴(kuò)產(chǎn)。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技術(shù)、經(jīng)濟(jì)性上的優(yōu)勢并不明顯，市場占有率明顯低于182大硅片。不過，相關(guān)人士透露，210硅片更適合下一代的N型電池，隨著N型電池HJT與TOPCON技術(shù)之爭終有了結(jié)果，210硅片或有拓展機(jī)會(huì)。

硅料回收的方法主要有以下幾種： 1. 機(jī)械回收：通過物理方法對(duì)硅料進(jìn)行分離、篩選和破碎，將廢棄的硅料分離出來，然后進(jìn)行再利用。這種方法適用于硅料的粒度較大的情況。 2. 化學(xué)回收：通過化學(xué)方法將廢棄的硅料溶解，然后經(jīng)過沉淀、過濾等步驟將硅料分離出來，再進(jìn)行再利用。這種方法適用于硅料的粒度較小的情況。 3. 熱處理回收：通過高溫處理廢棄的硅料，使其發(fā)生物理或化學(xué)變化，然后進(jìn)行分離和提取。這種方法適用于含有有機(jī)雜質(zhì)的硅料。

硅料回收是指對(duì)廢棄的硅料進(jìn)行再利用或處理的過程。硅料是一種重要的材料，廣泛應(yīng)用于電子、光電子、太陽能等領(lǐng)域。由于硅料的高附加值和廣泛使用，回收硅料可以減少資源浪費(fèi)，降低環(huán)境污染。

硅具有優(yōu)良的半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)。禁帶寬度適中，為1.12電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350厘米2/伏·秒，空穴遷移率為480厘米2/伏·秒。本征電阻率在室溫(300K)下高達(dá)2.3×105歐·厘米,摻雜后電阻率可控制在104～10-4 歐·厘米的寬廣范圍內(nèi)，能滿足制造各種器件的需要。硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命較長,在幾十微秒至1毫秒之間。

1956年研究成功氫還原三氯氫硅法。對(duì)硅中微量雜質(zhì)又經(jīng)過一段時(shí)間的探索后，氫還原三氯氫硅法成為一種主要的方法。到1960年，用這種方法進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)已具規(guī)模。硅整流器與硅閘流管的問世促使硅材料的生產(chǎn)一躍而居半導(dǎo)體材料的。60年代硅外延生長單晶技術(shù)和硅平面工藝的出現(xiàn)，不但使硅晶體管制造技術(shù)趨于成熟，而且促使集成電路迅速發(fā)展。80年代初全世界多晶硅產(chǎn)量已達(dá)2500噸。硅還是有前途的太陽電池材料之一。用多晶硅制造太陽電池的技術(shù)已經(jīng)成熟；無定形非晶硅膜的研究進(jìn)展迅速；非晶硅太陽電池開始進(jìn)入市場。

在研究和生產(chǎn)中，硅材料與硅器件相互促進(jìn)。在第二次世界大戰(zhàn)中，開始用硅制作雷達(dá)的高頻晶體檢波器。所用的硅純度很低又非單晶體。1950年制出只硅晶體管，提高了人們制備硅單晶的興趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅單晶成功。1953年又研究出無坩堝區(qū)域熔化法(FZ)，既可進(jìn)行物理提純又能拉制單晶。1955年開始采用鋅還原四氯化硅法生產(chǎn)純硅，但不能滿足制造晶體管的要求。

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