當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當務之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品

制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強的實用價值,已引起人們的密切關注。

冶煉方法：鉭鈮礦中常伴有多種金屬，鉭冶煉的主要步驟是分解精礦，凈化和分離鉭、鈮，以制取鉭、鈮的純化合物，后制取金屬。

鉭磁控濺射靶材所具有的特性，使它的應用領域十分廣闊

鉭雖然在19世紀初就已被發(fā)現(xiàn)了，但直到1903年才制出了金屬鉭，1922年開始工業(yè)生產(chǎn)鉭。因此，世界鉭工業(yè)的發(fā)展始于20世紀20年代，中國鉭工業(yè)始于1956年

中國鉭工業(yè)始于20世紀60年代 。中國初期鉭冶煉、加工生產(chǎn)規(guī)模、技術水平、產(chǎn)品檔次和質(zhì)量狀況與發(fā)達國家比較相差甚遠。自90年代，特別是1995年以來，中國鉭生產(chǎn)應用呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢，如今，中國鉭工業(yè)已實現(xiàn)了“從小到大、從軍到民、從內(nèi)到外”的轉變，形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應用的工業(yè)體系，高、中、低端產(chǎn)品的進入了國際市場，中國成為世界鉭冶煉加工第三強國，進入世界鉭工業(yè)大國的行列

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