合成法可生產(chǎn)純度高、雜質(zhì)少、粒度細(xì)的硫化物,而且能制備出符合不同功能需求的硫化物,因此用合成法生產(chǎn)納米硫化物一直倍受關(guān)注。納米MoS2的制備方法有很多,如四硫代鉬酸銨熱分解法、硫化氫或硫蒸汽還原法、高能球磨法、碳納米管空間限制法、水熱合成法、高能物理手段和化學(xué)法結(jié)合等等??傮w而言,制備方法有兩種,可以直接將鎢源或鉬源與硫源反應(yīng)得到納米MoS2,或者先將鎢源或鉬源與硫源反應(yīng),得到前軀體,再將前軀體通過適當(dāng)?shù)姆椒ǚ纸饣蜻€原成MoS2。
二硫化鉬于2008年合成,是叫作過渡金屬二硫化物材料(TMDs)大家族的成員之一。這個顯得有點“花哨”的名字代表了它們的結(jié)構(gòu):一個過渡金屬原子(即鉬原子)和一對包括硫元素、硒元素在內(nèi)的來自元素周期表第16列的原子(該元素家族以氧族元素著稱)。
讓電子制造者驚喜的是,所有TMDs均是半導(dǎo)體。它們和石墨烯的薄度近乎相同(在二硫化鉬中,兩層硫原子把一層鉬原子像“三明治”那樣夾在中間),但是它們卻有其他優(yōu)點。就二硫化鉬而言,優(yōu)點之一是電子在平面薄片中的運行速度,即電子遷移率。二硫化鉬的電子遷移速率大約是100cm2/vs(即每平方厘米每伏秒通過100個電子),這遠(yuǎn)低于晶體硅的電子遷移速率1400 cm2/vs ,但是比非晶硅和其他超薄半導(dǎo)體的遷移速度更好,科學(xué)家正在研究這些材料,使其用于未來電子產(chǎn)品,如柔性顯示屏和其他可以靈活伸展的電子產(chǎn)品。
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