DRAM特點(diǎn)如下：
●存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。
●刷新（再生）：為及時補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，定時給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。
●刷新時間：定期進(jìn)行刷新操作的時間。該時間小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。
●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價格也低。 [8]
●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲器。
盡管如此，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。
沒有任何兩塊被生產(chǎn)出來的網(wǎng)卡擁有同樣的地址。這是因?yàn)殡姎怆娮庸こ處焻f(xié)會（IEEE）負(fù)責(zé)為網(wǎng)絡(luò)接口控制器（網(wǎng)卡）銷售商分配的MAC地址。
光纖網(wǎng)卡，指的是光纖以太網(wǎng)適配器，簡稱光纖網(wǎng)卡，學(xué)名Fiber Ethernet Adapter.傳輸?shù)氖且蕴W(wǎng)通信協(xié)議，一般通過光纖線纜與光纖以太網(wǎng)交換機(jī)連接。按傳輸速率可以分為100Mbps、1Gbps、10Gbps，按主板插口類型可分為PCI、PCI-X、PCI-E(x1/x4/x8/x16)等，按接口類型分為LC、SC、FC、ST等。
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