燒結(jié)銀AS9376燒結(jié)銀的導(dǎo)電率? ≥1×10? S/cm（燒結(jié)后） 支持高密度互連（電阻率低至1.6 μΩ·cm）
?熱膨脹系數(shù)（CTE）?? 可定制（≈5-8 ppm/℃） 匹配硅/陶瓷基板（ΔCTE <5 ppm/℃）

燒結(jié)銀AS9376的致密化率? >95%（常壓燒結(jié)） 減少孔隙率（<2%）提升可靠性
?附著力? ≥45 MPa（劃格法） 抗機(jī)械應(yīng)力（滿(mǎn)足芯片堆疊需求）

無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376用于MEMS慣性傳感器封裝
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需兼容MEMS振梁等微結(jié)構(gòu)（尺寸<100 nm），避免高溫高壓導(dǎo)致形變或失效。
?AS9376解決方案：
?低應(yīng)力燒結(jié)：燒結(jié)過(guò)程對(duì)硅基板應(yīng)力<5 MPa，振梁諧振頻率偏差<0.5%。
?真空密封：通過(guò)無(wú)壓燒結(jié)實(shí)現(xiàn)氣密性封裝（漏率<1×10?? Pa/m3），壽命>101?次循環(huán)。
?假設(shè)案例：博世MEMS陀螺儀采用AS9376封裝，體積縮小30%，成本降低20%。

燒結(jié)銀AS9376用于激光雷達(dá)光學(xué)模組集成
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需將硅光芯片與光學(xué)元件無(wú)損互連，避免傳統(tǒng)焊接導(dǎo)致的界面反射損失。
?AS9376解決方案：
?納米級(jí)漿料：粒徑20-50 nm銀粉實(shí)現(xiàn)超薄互連層（厚度≤1 μm），插入損耗<0.1 dB。
?低溫工藝兼容：與UV固化工藝結(jié)合，避免高溫對(duì)光學(xué)元件的損傷。
假設(shè)?案例：Lumentum相干光引擎采用AS9376集成硅光芯片與光纖陣列，帶寬提升至1.6 Tbps。

燒結(jié)銀AS9376的長(zhǎng)期穩(wěn)定性：
抗離子遷移設(shè)計(jì)（添加Al?O?納米顆粒）使85℃/85%RH下電阻漂移率<5%/1000小時(shí)。
?成本效益：
銀包銅替代方案（Cu含量≤10%）可降低銀用量30%，材料成本下降25%。

燒結(jié)銀AS9376的微觀(guān)結(jié)構(gòu)：
SEM觀(guān)察燒結(jié)后銀層孔隙率（<2%）、晶粒尺寸（<50 nm）。
?電學(xué)性能：
四探針?lè)y(cè)接觸電阻（目標(biāo)<10 mΩ·mm2）和擊穿電壓（>100 V）。

• 

  善仁可拉伸導(dǎo)電油墨,浙江訂制智能家居和導(dǎo)電油墨解決方案安全可靠

  12000元

  產(chǎn)品名：導(dǎo)電油墨在智能家居的應(yīng)用,導(dǎo)電銀漿,可拉伸導(dǎo)電油墨,納米銀漿

• 

  Alwaystone高導(dǎo)熱銀膠,江蘇環(huán)保高導(dǎo)熱導(dǎo)電銀膠

  9980元

  產(chǎn)品名：高導(dǎo)熱導(dǎo)電銀膠,導(dǎo)熱銀膠,高導(dǎo)熱銀膠

• 

  Alwaystone燒結(jié)納米銀膏納米銀膏

  118元

  產(chǎn)品名：燒結(jié)納米銀膏,納米銀膏,納米銀

• 

  低溫?zé)Y(jié)納米銀膠

  2600000元

  產(chǎn)品名：銀膠,燒結(jié)銀

• 

  導(dǎo)電銀漿

  12000元

  產(chǎn)品名：導(dǎo)電銀漿

• 

  Alpha燒結(jié)銀替代SiC碳化硅燒結(jié)銀無(wú)壓燒結(jié)銀

  1500元

  產(chǎn)品名：SHAREX低溫?zé)Y(jié)銀,Alpha燒結(jié)銀替代,美國(guó)燒結(jié)銀替代,德國(guó)燒結(jié)銀替代,日本燒結(jié)銀替代,國(guó)外燒結(jié)銀替代

• 

  聚丙烯PP薄膜1.5毫米薄膜分切

  3元

  產(chǎn)品名：薄膜精密分條繞卷,塑料薄膜分條,薄膜分切,薄膜繞卷,繞卷2000米,繞卷3000米,繞卷5000米,繞卷10000米

• 

  微分條膠膜1.2毫米*10000米分切

  2元

  產(chǎn)品名：膠帶膠膜精密分條0.6毫米*10000米,精密分條加工,精密分條,精密模切,分條加工,分條代工,微分條,微分切,高精度分條,高精度繞卷