在成型技術(shù)也相當(dāng)困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全鍍，部分鍍銀技術(shù)很難，做模具，且放置芯片處用局部銀，一個(gè)導(dǎo)線(xiàn)架搭兩個(gè)芯片，芯片局部銀，其他引線(xiàn)框架用鎳鈀金，材料差異對(duì)引線(xiàn)框架制作是很大的技術(shù)挑戰(zhàn)。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能夠?qū)㈦娏﹄娮幽K的使用壽命延長(zhǎng)50多倍，并確保芯片的載流容量提高50%以上。

使用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片使器件結(jié)溫可以超過(guò)200°C。因此，GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片可以大幅降低功率限額，或者在確保電流相同的情況下縮小芯片尺寸，從而降低電力成本。

SHAREX的預(yù)燒結(jié)銀焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是結(jié)合了燒結(jié)銀，銅箔和其他材料的一種復(fù)合材料，由以下四個(gè)部分組成：具有鍵合功能的銅箔；預(yù)涂布AS9385系列燒結(jié)銀；燒結(jié)前可選用臨時(shí)固定的膠粘劑；保護(hù)膜或者承載物。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以廣泛用于：Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片的Diffusion Soldering（擴(kuò)散焊）技術(shù)。簡(jiǎn)而言之，就是在特定溫度和壓力條件下，使得SiC芯片的背面金屬，與Lead Frame表面金屬產(chǎn)生原子的相互擴(kuò)散，形成可靠的冶金連接，以釜底抽薪之勢(shì)，一舉省去中間焊料，所謂大道至簡(jiǎn)、惟精惟一，惟GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片。一言以蔽之：采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片時(shí)，降低器件穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱阻，同時(shí)提高器件可靠性。

在能源效率新時(shí)代，SiC開(kāi)始加速滲透電動(dòng)汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)車(chē)充電樁、PFC/開(kāi)關(guān)電源、軌道交通、變頻器等應(yīng)用場(chǎng)景，接下來(lái)將逐步打開(kāi)更大的發(fā)展空間。

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