當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品

五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭（Ta2O5）為白色無(wú)色結(jié)晶粉末，是鉭常見(jiàn)的氧化物，也是鉭在空氣中燃燒生成的終產(chǎn)物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學(xué)玻璃用，化工中可作催化劑

鉭 Ta，金屬元素，主要存在于鉭鐵礦中，同鈮共生。鉭的硬度適中，富有延展性，可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。鉭有非常出色的化學(xué)性質(zhì)，具有的抗腐蝕性，無(wú)論是在冷和熱的條件下，對(duì)鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)

但鉭在熱的中能被腐蝕，在150℃以下，鉭不會(huì)被腐蝕，只有在此溫度才會(huì)有反應(yīng)，在175度的中1年，被腐蝕的厚度為0.0004毫米，將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年，表層僅損傷0.006毫米

驗(yàn)，鉭在常溫下，對(duì)堿溶液、、溴水、稀硫酸以及其他許多藥劑均不起作用，僅在氫氟酸和熱作用下有所反應(yīng)。這樣的情況在金屬中是比較的。

鉭磁控濺射靶材所具有的特性，使它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊

鉭雖然在19世紀(jì)初就已被發(fā)現(xiàn)了，但直到1903年才制出了金屬鉭，1922年開(kāi)始工業(yè)生產(chǎn)鉭。因此，世界鉭工業(yè)的發(fā)展始于20世紀(jì)20年代，中國(guó)鉭工業(yè)始于1956年

鉭是稀有金屬礦產(chǎn)資源之一，是電子工業(yè)和空間技術(shù)發(fā)展不可缺少的戰(zhàn)略原料

在化工、電子、電氣等工業(yè)中，鉭可以取代過(guò)去需要由貴重金屬鉑承擔(dān)的任務(wù)，使所需費(fèi)用大大降低

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