構(gòu)成同軸衰減器的基本材料是電阻性材料。通常的電阻是同軸衰減器的一種基本形式，由此形成的電阻衰減器網(wǎng)絡(luò)就是集總參數(shù)衰減器。通過一定的工藝把電阻材料放置到不同波段的射頻/微波電路結(jié)構(gòu)中就形成了相應(yīng)頻率的衰減器。如果是大功率衰減器，體積肯定要加大，關(guān)鍵就是散熱設(shè)計。隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展，在許多場合要用到快速調(diào)整衰減器。這種衰減器通常有兩種實現(xiàn)方式，一是半導(dǎo)體小功率快調(diào)衰減器，如PIN管或FET單片集成衰減器；二是開關(guān)控制的電阻衰減網(wǎng)絡(luò)，開關(guān)可以是電子開關(guān)，也可以是射頻繼電器。
衰減器的工作頻帶是指在給定頻率范圍內(nèi)使用衰減器，衰減器才能達到指標值。由于射頻/微波結(jié)構(gòu)與頻率有關(guān)，不同頻段的元器件，結(jié)構(gòu)不同，也不能通用。現(xiàn)代同軸結(jié)構(gòu)的衰減器使用的工作頻帶相當寬，設(shè)計或使用中要加以注意。
衰減量：無論形成功率衰減的機理和具體結(jié)構(gòu)如何，總是可以用兩端口網(wǎng)絡(luò)來描述衰減器。
信號輸入端的功率為P1，而輸出端得功率為P2，衰減器的功率衰減量為A（dB）。若P1 、P2 以分貝毫瓦（dBm）表示，則兩端功率間的關(guān)系為 P2（dBm）= P1（dBm）－ A（dB）
可以看出，衰減量描述功率通過衰減器后功率的變小程度。衰減量的大小由構(gòu)成衰減器的材料和結(jié)構(gòu)確定。衰減量用分貝作單位，便于整機指標計算。
這種衰減器利用光在金屬薄膜表面的反射光強與薄膜厚度有關(guān)的原理制成。如果玻璃襯底上蒸鍍的金屬薄膜的厚度固定，就制成固定光衰減器。如果在光纖中斜向插入蒸鍍有不同厚度的一系列圓盤型金屬薄臘的玻璃襯底，使光路中插入不同厚度的金屬薄膜，就能改變反射光的強度，即可得到不同的衰減量，制成可變衰減器。
注意事項
1、頻響：即頻率帶寬，一般用兆赫茲（MHz）或吉赫茲（GHz）表示。通用的衰減器一般帶寬為5GHz左右，高要到50GHz。
2、衰減范圍與結(jié)構(gòu)形式：
衰減范圍指衰減比例，一般為3dB、10dB、14dB、20dB不等，高可達110dB。其衰減公式為：10lg(輸入/輸出)，例：10dB表征：輸入∶輸出=衰減倍數(shù)=10倍。
結(jié)構(gòu)形式一般分兩種形式：固定比例衰減器與步進比例可調(diào)衰減器。固定衰減器是指在一定頻率范圍固定比例倍數(shù)的衰減器。步進衰減器是以一定固定值（例1dB）等間隔可調(diào)比例倍數(shù)的衰減器，又分為手動步進衰減器和程控步進衰減器。
同軸衰減器是一種用于減小信號功率的器件，它的基本構(gòu)成包括以下幾個主要部分：
內(nèi)導(dǎo)體（Inner Conductor）：內(nèi)導(dǎo)體是同軸衰減器的中心導(dǎo)體，通常是一根金屬導(dǎo)線或管道，負責(zé)傳輸信號的電流。
外導(dǎo)體（Outer Conductor）：外導(dǎo)體是內(nèi)導(dǎo)體的外層，通常是一個金屬套管，起到屏蔽和保護內(nèi)導(dǎo)體的作用。
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