合成法可生產(chǎn)純度高、雜質(zhì)少、粒度細(xì)的硫化物，而且能制備出符合不同功能需求的硫化物，因此用合成法生產(chǎn)納米硫化物一直倍受關(guān)注。納米MoS2的制備方法有很多，如四硫代鉬酸銨熱分解法、硫化氫或硫蒸汽還原法、高能球磨法、碳納米管空間限制法、水熱合成法、高能物理手段和化學(xué)法結(jié)合等等?？傮w而言，制備方法有兩種，可以直接將鎢源或鉬源與硫源反應(yīng)得到納米MoS2，或者先將鎢源或鉬源與硫源反應(yīng)，得到前軀體，再將前軀體通過適當(dāng)?shù)姆椒ǚ纸饣蜻€原成MoS2。
輝鉬精礦用鹽酸和氫氟酸在直接蒸汽加熱下，反復(fù)攪拌處理，用熱水洗滌、離心、干燥、粉碎，可制得。鉬酸銨溶液中通入硫化氫氣體，生成硫代鉬酸銨。加鹽酸轉(zhuǎn)變?yōu)槿蚧f沉淀，后離心、洗滌、干燥、粉碎。后加熱至950 °C脫硫可制得。
二硫化鉬是重要的固體潤滑劑，特別適用于高溫高壓下。它還有抗磁性，可用作線性光電導(dǎo)體和顯示P型或N型導(dǎo)電性能的半導(dǎo)體，具有整流和換能的作用。二硫化鉬還可用作復(fù)雜烴類脫氫的催化劑。
二硫化鉬不導(dǎo)電，存在二硫化鉬、三硫化鉬和三氧化鉬的共聚物。當(dāng)摩擦材料因摩擦而溫度急劇升高時， 共聚物中的三氧化鉬顆粒隨著升溫而膨脹，起到了增摩作用；
盡管石墨烯有著許多令人眼花繚亂的優(yōu)點，但它也有缺點，尤其是不能充當(dāng)半導(dǎo)體——這是微電子的基石?；瘜W(xué)家和材料學(xué)家正在努力越過石墨烯，尋找其他的材料。他們正在合成其他兩種兼具柔韌性和透明度，而且擁有石墨烯無法企及的電子特性的二維片狀材料，二硫化鉬就是其中一種。
讓電子制造者驚喜的是，所有TMDs均是半導(dǎo)體。它們和石墨烯的薄度近乎相同（在二硫化鉬中，兩層硫原子把一層鉬原子像“三明治”那樣夾在中間），但是它們卻有其他優(yōu)點。就二硫化鉬而言，優(yōu)點之一是電子在平面薄片中的運行速度，即電子遷移率。二硫化鉬的電子遷移速率大約是100cm2/vs（即每平方厘米每伏秒通過100個電子），這遠(yuǎn)低于晶體硅的電子遷移速率1400 cm2/vs ，但是比非晶硅和其他超薄半導(dǎo)體的遷移速度更好，科學(xué)家正在研究這些材料，使其用于未來電子產(chǎn)品，如柔性顯示屏和其他可以靈活伸展的電子產(chǎn)品。
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