大硅片方面，目前中環(huán)股份主導的創(chuàng)新產(chǎn)品210硅片正在大幅擴產(chǎn)。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技術、經(jīng)濟性上的優(yōu)勢并不明顯，市場占有率明顯低于182大硅片。不過，相關人士透露，210硅片更適合下一代的N型電池，隨著N型電池HJT與TOPCON技術之爭終有了結果，210硅片或有拓展機會。
生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對位錯密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯排、星形結構等缺陷存在。位錯密度低于 200/厘米2者稱為無位錯單晶，無位錯硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無位錯硅單晶中還存在雜質原子、空位團、自間隙原子團、氧碳或其他雜質的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。
非平衡載流子壽命 光照或電注入產(chǎn)生的附加電子和空穴瞬即復合而消失，它們平均存在的時間稱為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數(shù)、反向電流和開關特性等均有關系。壽命值又間接地反映硅單晶的純度，存在重金屬雜質會使壽命值大大降低。
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