3. 開維持泵、真空計(jì)電源，真空計(jì)檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。
4. 開機(jī)械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計(jì)開關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。
5. 觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)予抽，開前機(jī)和
高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子槍電源。 1. 總電源。
2. 同時(shí)開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開關(guān)，延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮，三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅，若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障，保護(hù)燈會(huì)常亮。
3. 開高壓，高壓會(huì)達(dá)到10KV以上，調(diào)節(jié)束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動(dòng)。 1. 關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。
2. 待分子泵顯示到50時(shí)，依次關(guān)高閥、前級(jí)、機(jī)械泵，這期間約需40分鐘。

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離子鍍膜，一個(gè)精密的工藝過程，其核心是離子濺射鍍膜。對(duì)于導(dǎo)電靶，偏壓電源扮演了關(guān)鍵角色，采用直流電場(chǎng)的精密調(diào)控，確保陰極表面的電子被加速，進(jìn)而轟擊氣體分子，引發(fā)電離現(xiàn)象。這個(gè)過程中，電子被電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，形成雪崩效應(yīng)，直至氣體被擊穿，形成穩(wěn)定的電離電流，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)離子加速，撞擊靶材，將原子釋放并沉積在樣品表面，形成所需涂層。

偏壓電源，就像熒光燈中的核心組件，它通過高頻轉(zhuǎn)換電路，以單極性脈沖方式輸出。電源電壓的精細(xì)調(diào)整通過改變高頻轉(zhuǎn)換電路的輸入電壓實(shí)現(xiàn)，穩(wěn)壓性能高達(dá)1%。這種設(shè)計(jì)允許在工藝所需電壓的同時(shí)，通過調(diào)整脈沖寬度來控制工件的加熱效果，適用于各種涂層需求，從工具保護(hù)到裝飾美化。

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抽空時(shí)間相同，而真空度偏低，這時(shí)候關(guān)閉主閥，如真空計(jì)指針很快下降，多數(shù)情況是真空室漏，應(yīng)先查出漏點(diǎn)。如真空計(jì)指針下降很慢，多數(shù)情況是真空機(jī)組抽氣能力不夠，查找真空泵及閥門看哪里出現(xiàn)泄漏，或是擴(kuò)散泵油污染或氧化；或前級(jí)管路密封不好，泵油不足；或泵油乳化，軸封漏油等。漏--分內(nèi)漏和外漏，較大的漏點(diǎn)可以用火焰法，利用氣流能使火焰偏離的原理，先抽上真空，比如用蠟燭或打火機(jī)在可疑點(diǎn)附近逐步查尋，會(huì)發(fā)現(xiàn)火苗向漏點(diǎn)偏移，則可找到漏點(diǎn)。查找小漏和微漏：利用在高真空狀態(tài)下電離管對(duì)某些氣體反應(yīng)敏感來檢漏，比如丙酮或乙醇，用醫(yī)用注射器向可疑的地方噴射丙酮或乙醇，噴到漏點(diǎn)時(shí)，電離計(jì)的指針會(huì)有明顯擺動(dòng)。用這種方法檢漏一定要有耐心，一定要等到電離計(jì)的示值穩(wěn)定了--也就是真空機(jī)組的抽氣能力和漏率平衡了，然后再噴射。好是反復(fù)幾次，確認(rèn)漏點(diǎn)。內(nèi)漏多發(fā)生在有水冷套的設(shè)備上，查外漏沒有發(fā)現(xiàn)疑點(diǎn)，但是卻有以下現(xiàn)象：機(jī)械泵的抽速明顯偏低、真空計(jì)示值低、機(jī)械泵油很快乳化、真空室內(nèi)的鐵基零部件明顯銹蝕。具備以上條件基本可以確定有內(nèi)漏。

離子滲氮：可以在輝光放電條件下，將N、C等元素滲入到零件和模具內(nèi)部、明顯提高表面硬度、抗疲勞等性能和耐腐蝕性，相對(duì)于總體滲氮處理時(shí)間短、濕度低、變形小、表面性能可控，可用于各種鋼鐵及鈦合金結(jié)構(gòu)件，各種模具和各種不銹鋼制品。
等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備與技術(shù)(離子滲氮，氮碳共滲)
等離子體化學(xué)氣相沉積（PCVD）是一種新型的脈沖直流等離子體輔助沉積硬質(zhì)鍍膜新技術(shù)。在一定壓力、溫度的真空爐內(nèi)，加入適當(dāng)比例的不同工作氣體，在脈沖電壓的作用下，通過輝光放電產(chǎn)生均勻等離子體。在不同工藝條件下，可在被處理工件表面形成各種硬質(zhì)膜如TiN、TiC、TiCN、(Ti、Si)N、(Ti、Si)CN及多層復(fù)合膜等，顯微硬度高達(dá)HV2000--2500。

發(fā)黑通常是由于過早氧化造成的。泛黃一般是因?yàn)殇X源中含有雜質(zhì)過多，一般純度應(yīng)在4 N或5N以上。無論是涂布機(jī)的真空度不達(dá)標(biāo)，都要達(dá)到10—7倍Pa。（不準(zhǔn)確）。涂敷物品的清洗不，表面殘留有清潔劑和水。被涂物品表面溫度不合理，溫度過高或過低。涂層項(xiàng)目的潛在設(shè)置不合理。真空擴(kuò)散泵油應(yīng)更換。調(diào)節(jié)蒸發(fā)源的溫度，不能太低或太高。如果電子束蒸發(fā)，電子束的轟擊位置也應(yīng)該調(diào)整。

直接的鍍膜控制方法是石英晶體微量平衡法(QCM)，這種儀器可以直接驅(qū)動(dòng)蒸發(fā)源，通過PID控制循環(huán)驅(qū)動(dòng)擋板，保持蒸發(fā)速率。只要將儀器與系統(tǒng)控制軟件相連接，它就可以控制整個(gè)的鍍膜過程。但是(QCM)的度是有限的，部分原因是由于它監(jiān)控的是被鍍膜的質(zhì)量而不是其光學(xué)厚度。
? ? 此外雖然QCM在較低溫度下非常穩(wěn)定，但溫度較高時(shí)，它會(huì)變得對(duì)溫度非常敏感。在長(zhǎng)時(shí)間的加熱過程中，很難阻止傳感器跌入這個(gè)敏感區(qū)域，從而對(duì)膜層造成重大誤差。
? ? 光學(xué)監(jiān)控是高精密鍍膜的的監(jiān)控方式，這是因?yàn)樗梢愿乜刂颇雍穸?如果運(yùn)用得當(dāng))。度的改進(jìn)源于很多因素,但根本的原因是對(duì)光學(xué)厚度的監(jiān)控。
? ? OPTIMAL SWA-I-05單波長(zhǎng)光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)，是采用間接測(cè)控，結(jié)合汪博士開發(fā)的光學(xué)監(jiān)控軟件，有效提高光學(xué)反應(yīng)對(duì)膜厚度變化靈敏度的理論和方法來減少誤差，提供了反饋或傳輸?shù)倪x擇模式和大范圍的監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)。特別適合于各種膜厚的鍍膜監(jiān)控包括非規(guī)整膜監(jiān)控。

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