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場效應(yīng)管通常分為兩類：JFET和MOSFET。這兩類場效應(yīng)管都是壓控型的器件。場效應(yīng)管有三個電極，分別為：柵極漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號圖。PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的：在N型硅襯底上做了兩個P型半導(dǎo)體的P+區(qū)，這兩個區(qū)分別叫做源極S和漏極D，在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。
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