當(dāng)前功率半導(dǎo)體行業(yè)正在面臨SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)崛起，隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的增量放大，消費(fèi)者對(duì)汽車的高續(xù)航、超快充等要求越來越高，電力電子模塊的功率密度、工作溫度及可靠性的要求也在越來越復(fù)雜，封裝成了提升可靠性和性能的關(guān)鍵。封裝是承載器件的載體，也是SiC芯片可靠性、充分發(fā)揮性能的關(guān)鍵。

傳統(tǒng)的芯片粘接和基板粘接材料通常由焊料合金組成，其粘結(jié)層厚度范圍為50至100μm（用于芯片連接）和100至150μm（用于基板連接）。盡管性能還不錯(cuò)，但在特斯拉、比亞迪和現(xiàn)代等主要汽車原始設(shè)備制造商的推動(dòng)下，人們對(duì)無(wú)壓燒結(jié)銀的偏好越來越高。

納米銀燒結(jié)成為碳化硅器件封裝核心工藝。相比于傳統(tǒng)的軟釬焊工藝，善仁新材的低溫納米銀燒結(jié)技術(shù)有利于提升產(chǎn)品的可靠性，使用的銀材料具有高導(dǎo)電率、高導(dǎo)熱率等特點(diǎn)，近年頗受業(yè)界關(guān)注。

善仁新材燒結(jié)材料通?？梢赃_(dá)到200℃-300℃，這讓燒結(jié)技術(shù)成為焊接工藝?yán)硐氲奶娲桨浮４送?，芯片粘接是一個(gè)極其復(fù)雜的過程，采用燒結(jié)銀技術(shù)進(jìn)行芯片粘接，可大大降低總制造成本，加工后無(wú)需清洗，還可縮短芯片之間的距離。

善仁新材的納米銀燒結(jié)工藝，通過銀原子的擴(kuò)散達(dá)到連接目的。在燒結(jié)過程中，銀顆粒通過接觸形成燒結(jié)頸，銀原子通過擴(kuò)散遷移到燒結(jié)頸區(qū)域，從而燒結(jié)頸不斷長(zhǎng)大，相鄰銀顆粒之間的距離逐漸縮小，形成連續(xù)孔隙網(wǎng)絡(luò)

善仁燒結(jié)銀在提高電子設(shè)備性能、降低成本、增強(qiáng)可靠性和促進(jìn)規(guī)?；a(chǎn)方面的重要作用。通過不斷創(chuàng)新和應(yīng)用，善仁燒結(jié)銀技術(shù)正在推動(dòng)電子行業(yè)的發(fā)展，滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求?

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