當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品
制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強(qiáng)的實用價值,已引起人們的密切關(guān)注。
鉭雖然在19世紀(jì)初就已被發(fā)現(xiàn)了，但直到1903年才制出了金屬鉭，1922年開始工業(yè)生產(chǎn)鉭。因此，世界鉭工業(yè)的發(fā)展始于20世紀(jì)20年代，中國鉭工業(yè)始于1956年
中國鉭工業(yè)始于20世紀(jì)60年代 。中國初期鉭冶煉、加工生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)水平、產(chǎn)品檔次和質(zhì)量狀況與發(fā)達(dá)國家比較相差甚遠(yuǎn)。自90年代，特別是1995年以來，中國鉭生產(chǎn)應(yīng)用呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢，如今，中國鉭工業(yè)已實現(xiàn)了“從小到大、從軍到民、從內(nèi)到外”的轉(zhuǎn)變，形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應(yīng)用的工業(yè)體系，高、中、低端產(chǎn)品的進(jìn)入了國際市場，中國成為世界鉭冶煉加工第三強(qiáng)國，進(jìn)入世界鉭工業(yè)大國的行列
在化工、電子、電氣等工業(yè)中，鉭可以取代過去需要由貴重金屬鉑承擔(dān)的任務(wù)，使所需費(fèi)用大大降低
電容器是鉭的主要終消費(fèi)領(lǐng)域，約占總消費(fèi)量的60%。美國是鉭消費(fèi)量的國家，1997年消費(fèi)量達(dá)500噸，其中60%用于生產(chǎn)鉭電容器。日本是鉭消費(fèi)的第國，消費(fèi)量為334噸。
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