燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個難題
總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標是提高功率（電流，電壓）——降低半導體控制和開關(guān)時損耗——擴展工作溫度的范圍——提高使用壽命，穩(wěn)定性和可靠性——在降低失誤率的同時簡化控制和保護電路到后的降低成本。
目前盡可能從機械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。
相比焊接模塊，加壓燒結(jié)銀的銀燒結(jié)技術(shù)對模組結(jié)構(gòu)、使用壽命、散熱產(chǎn)生了重要影響，采用銀燒結(jié)技術(shù)可使模塊使用壽命提高5-10倍，
燒結(jié)層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導率提升5倍，國內(nèi)外諸多廠商把銀燒結(jié)技術(shù)作為第三代半導體封裝的核心技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)成為芯片與基板之間連接的選擇.
同時在此基礎(chǔ)上開發(fā)出雙面銀燒結(jié)技術(shù)，將銀帶燒結(jié)在芯片正面代替了鋁線，或取消底板將基板直接燒結(jié)在散熱器上，大大簡化了模塊封裝的結(jié)構(gòu)。
在銀燒結(jié)技術(shù)中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，需要在基板裸銅表面先鍍鎳再鍍金或鍍銀，同時燒結(jié)溫度控制和壓力控制也是影響功率模組質(zhì)量的關(guān)鍵因素。
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