通過(guò)設(shè)置設(shè)備箱體、卡匣定位結(jié)構(gòu)、檢測(cè)機(jī)構(gòu)和推料機(jī)構(gòu),使得在晶圓片傳送時(shí)能夠通過(guò)卡匣定位結(jié)構(gòu)對(duì)卡匣進(jìn)行定位，然后再通過(guò)檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)卡匣內(nèi)晶圓片的位置，避免晶圓片錯(cuò)位，后通過(guò)推料機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)卡匣的傳送,整個(gè)傳送過(guò)程簡(jiǎn)單、易操作，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化傳片,且能夠?qū)A片進(jìn)行檢測(cè)避免晶圓片錯(cuò)位造成傳片損壞。

晶圓經(jīng)過(guò)前道工席后芯片制備完成，還需要經(jīng)過(guò)切割使晶圓上的芯片分離下來(lái)，后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問(wèn)題，但是在100um以上時(shí)，生產(chǎn)效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會(huì)對(duì)晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過(guò)程更為復(fù)雜。

為了保護(hù)晶圓在切割過(guò)程中免受外部損傷，事先會(huì)在晶圓上貼敷膠膜，以便更安全的“切單”?！氨趁鏈p薄”過(guò)程中，膠膜會(huì)貼在晶圓的正面。但與此相反，在“刀片”切割中，膠膜要貼在晶圓的背面。而在共晶貼片，把分離的芯片固定在PCB或定架上過(guò)程中，貼會(huì)背面的這一膠膜會(huì)自動(dòng)脫落。切割時(shí)由于摩擦很大，所以要從各個(gè)方向連續(xù)噴灑DI水(去離子水)。而且，葉輪要附有金剛石顆粒，這樣才可以更好地切片。此時(shí)，切口(刀片厚度:凹槽的寬度)均勻，不得超過(guò)劃片槽的寬度。

很長(zhǎng)一段時(shí)間，鋸切一直是被廣泛使用的傳統(tǒng)的切割方法，其大的優(yōu)點(diǎn)就是可以在短時(shí)間內(nèi)切割大量的晶圓。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片邊緣剝落的可能性就會(huì)變大。因此，應(yīng)將葉輪的旋轉(zhuǎn)次數(shù)控制在每分鐘30000次左右。
刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過(guò)大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對(duì)加工物進(jìn)行清洗。半自動(dòng)劃片機(jī)LX3356機(jī)臺(tái)可作業(yè)8時(shí)wafer，含自動(dòng)光學(xué)補(bǔ)償、聚焦及自特征點(diǎn)功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測(cè)量、基準(zhǔn)線補(bǔ)償調(diào)整等?？勺詣?dòng)檢測(cè)切割刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過(guò)大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。
UV膜與藍(lán)膜相比，它的粘性剝離度可變性使得其性很大，主要作用為:用于wafer減薄過(guò)程中對(duì)wafer進(jìn)行固定;water劃切過(guò)程中，用于保護(hù)芯片，防止其脫落或崩邊，用于wafer的翻轉(zhuǎn)和運(yùn)輸，防止已經(jīng)劃好的芯片發(fā)生脫落。規(guī)范化使用UV膜和藍(lán)膜的各個(gè)參數(shù)，根據(jù)芯片所需要的加工工藝，選擇合適的UV膜或者藍(lán)膜，即可以節(jié)省成本，又可以加進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
晶圓倒片機(jī)是用來(lái)調(diào)整集成電路產(chǎn)線上晶圓生產(chǎn)材料序列位置的一款設(shè)備，它的任務(wù)是將產(chǎn)線上的晶圓通過(guò)制程需要進(jìn)行分批、合并、翻轉(zhuǎn)后進(jìn)行下一道程序，這就要求晶圓倒片機(jī)擁有的傳送效率和潔凈程度。通俗來(lái)講，更方便制造芯片，并且能夠在高度環(huán)境要求下制造更好的芯片。
內(nèi)圓切割時(shí)晶片表層損害層大，給CMP產(chǎn)生挺大黔削拋光工作中；刃口寬。材料損害大。品片出率低；成木高。生產(chǎn)效率低；每一次只有切割一片。當(dāng)晶圓直徑達(dá)到300mm時(shí)。內(nèi)圓刀頭外徑將達(dá)到1.18m。內(nèi)徑為410mm。在生產(chǎn)制造、安裝與調(diào)節(jié)上產(chǎn)生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢(shì)線切別主導(dǎo)的晶圓切割技術(shù)。
在芯片的分割期間，刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓)，同時(shí)去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的切割線(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi)，改善切割品質(zhì)，和通過(guò)幫助去掉碎片而延長(zhǎng)刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切口)與刀片的厚度成比例。

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