當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品

Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過(guò)波段為0.3～10um，是可見(jiàn)光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。

五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭（Ta2O5）為白色無(wú)色結(jié)晶粉末，是鉭常見(jiàn)的氧化物，也是鉭在空氣中燃燒生成的終產(chǎn)物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學(xué)玻璃用，化工中可作催化劑

但鉭在熱的中能被腐蝕，在150℃以下，鉭不會(huì)被腐蝕，只有在此溫度才會(huì)有反應(yīng)，在175度的中1年，被腐蝕的厚度為0.0004毫米，將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年，表層僅損傷0.006毫米

鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì)，具有的抗腐蝕性，無(wú)論是在冷和熱的條件下，對(duì)鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)。

鉭磁控濺射靶材所具有的特性，使它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊

中國(guó)鉭工業(yè)始于20世紀(jì)60年代 。中國(guó)初期鉭冶煉、加工生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)水平、產(chǎn)品檔次和質(zhì)量狀況與發(fā)達(dá)國(guó)家比較相差甚遠(yuǎn)。自90年代，特別是1995年以來(lái)，中國(guó)鉭生產(chǎn)應(yīng)用呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢(shì)，如今，中國(guó)鉭工業(yè)已實(shí)現(xiàn)了“從小到大、從軍到民、從內(nèi)到外”的轉(zhuǎn)變，形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應(yīng)用的工業(yè)體系，高、中、低端產(chǎn)品的進(jìn)入了國(guó)際市場(chǎng)，中國(guó)成為世界鉭冶煉加工第三強(qiáng)國(guó)，進(jìn)入世界鉭工業(yè)大國(guó)的行列

在制取各種無(wú)機(jī)酸的設(shè)備中，鉭可用來(lái)替代不銹鋼，壽命可比不銹鋼提高幾十倍

電容器是鉭的主要終消費(fèi)領(lǐng)域，約占總消費(fèi)量的60%。美國(guó)是鉭消費(fèi)量的國(guó)家，1997年消費(fèi)量達(dá)500噸，其中60%用于生產(chǎn)鉭電容器。日本是鉭消費(fèi)的第國(guó)，消費(fèi)量為334噸。

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