燒結(jié)銀漿AS9376作為一種專為計算（HPC）設(shè)計的低溫?zé)Y(jié)材料，其特的無壓燒結(jié)工藝、高導(dǎo)電性和工藝兼容性使其成為HPC芯片封裝、3D集成和異質(zhì)互連等場景的理想選擇。以下是其在HPC中的具體應(yīng)用分析及技術(shù)價值：

燒結(jié)銀AS9376燒結(jié)銀的導(dǎo)電率? ≥1×10? S/cm（燒結(jié)后） 支持高密度互連（電阻率低至1.6 μΩ·cm）
?熱膨脹系數(shù)（CTE）?? 可定制（≈5-8 ppm/℃） 匹配硅/陶瓷基板（ΔCTE <5 ppm/℃）

燒結(jié)銀AS9376的致密化率? >95%（常壓燒結(jié)） 減少孔隙率（<2%）提升可靠性
?附著力? ≥45 MPa（劃格法） 抗機械應(yīng)力（滿足芯片堆疊需求）

無壓燒結(jié)銀AS9376用于MEMS慣性傳感器封裝
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需兼容MEMS振梁等微結(jié)構(gòu)（尺寸<100 nm），避免高溫高壓導(dǎo)致形變或失效。
?AS9376解決方案：
?低應(yīng)力燒結(jié)：燒結(jié)過程對硅基板應(yīng)力<5 MPa，振梁諧振頻率偏差<0.5%。
?真空密封：通過無壓燒結(jié)實現(xiàn)氣密性封裝（漏率<1×10?? Pa/m3），壽命>101?次循環(huán)。
?假設(shè)案例：博世MEMS陀螺儀采用AS9376封裝，體積縮小30%，成本降低20%。

燒結(jié)銀AS9376的技術(shù)優(yōu)勢總結(jié)
?工藝自由度：
AS9376無需外部壓力，適配現(xiàn)有光刻、絲網(wǎng)印刷等HPC產(chǎn)線工藝。
?性能平衡：
導(dǎo)電率與熱導(dǎo)率（≥600 W/m·K）兼顧，支持高頻高速信號傳輸與散熱。

若需進一步探討燒結(jié)銀AS9376在特定HPC應(yīng)用（如量子計算芯片互連）中的定制化方案，或需要具體測試數(shù)據(jù)支持，請?zhí)峁└嗉夹g(shù)細節(jié)或合作需求。

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