當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品

鉭在單質(zhì)中，僅次于碳，鎢，錸和鋨，第五。鉭富有延展性，可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。每升高一攝氏度只膨脹百萬(wàn)分之六點(diǎn)六。除此之外，它的韌性很強(qiáng)，比銅還要。

鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì)，具有的抗腐蝕性，無(wú)論是在冷和熱的條件下，對(duì)鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)。

冶煉方法：鉭鈮礦中常伴有多種金屬，鉭冶煉的主要步驟是分解精礦，凈化和分離鉭、鈮，以制取鉭、鈮的純化合物，后制取金屬。

鉭雖然在19世紀(jì)初就已被發(fā)現(xiàn)了，但直到1903年才制出了金屬鉭，1922年開(kāi)始工業(yè)生產(chǎn)鉭。因此，世界鉭工業(yè)的發(fā)展始于20世紀(jì)20年代，中國(guó)鉭工業(yè)始于1956年

中國(guó)鉭工業(yè)始于20世紀(jì)60年代 。中國(guó)初期鉭冶煉、加工生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)水平、產(chǎn)品檔次和質(zhì)量狀況與發(fā)達(dá)國(guó)家比較相差甚遠(yuǎn)。自90年代，特別是1995年以來(lái)，中國(guó)鉭生產(chǎn)應(yīng)用呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢(shì)，如今，中國(guó)鉭工業(yè)已實(shí)現(xiàn)了“從小到大、從軍到民、從內(nèi)到外”的轉(zhuǎn)變，形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應(yīng)用的工業(yè)體系，高、中、低端產(chǎn)品的進(jìn)入了國(guó)際市場(chǎng)，中國(guó)成為世界鉭冶煉加工第三強(qiáng)國(guó)，進(jìn)入世界鉭工業(yè)大國(guó)的行列

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