只要想在中國市場分羹的各大手機(jī)廠商，肯定會(huì)產(chǎn)生非常多的用不上的ic芯片呆料，別著急真的就扔咯，當(dāng)年蘋果單靠著回收ic芯片、回收ic主板都為自己節(jié)約了上10億成本。

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)重要部件，作用是為程序運(yùn)行提供場所，與CPU進(jìn)行快的通信，暫存CPU運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)等。

新一代比老一代：頻率更高、容量更大、速度更快、電壓更低，DDR4加快普及中，成為市場主流，不同代內(nèi)存條可通過內(nèi)存上的標(biāo)簽貼紙或看防呆口位置就可以分辨。

PBC板，pcb板（基板）是分等級的，普通條只有4層或6層，而內(nèi)存條是采用10層甚至12層pcb板，層數(shù)越多，可以有更多的空間布線，電氣性能更佳，提高超頻性和穩(wěn)定性。

由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個(gè)人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

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