生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對位錯密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯密度低于 200/厘米2者稱為無位錯單晶，無位錯硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無位錯硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團、自間隙原子團、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。
國際可再生能源署(IRENA)的一項研究證實：到2050年，世界范圍內(nèi)報廢的光伏電池板數(shù)量將達(dá)到數(shù)千萬噸(特別是在中國、美國、日本、印度和德國)——回收后價值將超過150億美元。 僅在中國，2020年廢棄的光伏組件就將達(dá)到2000萬噸，是埃菲爾鐵塔重量的2000倍。
全球光伏回收產(chǎn)業(yè)市場潛力，國際能源署預(yù)計到2050年全球?qū)⒂薪?000萬噸，約43億塊報廢光伏組件需要處理，由于玻璃、鋁、硅等材料、以及銀、銦等稀有元素可以回收回用，回收也將產(chǎn)生約150億美元的市場價值；中國光伏行業(yè)協(xié)會預(yù)測到2030年中國也將面臨回收150萬噸報廢組件，2050年將達(dá)到2000萬噸，隨著近年來的大規(guī)模既有項目的技改，中國光伏回收高峰將提前到來。
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