生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對(duì)位錯(cuò)密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯(cuò)排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯(cuò)密度低于 200/厘米2者稱(chēng)為無(wú)位錯(cuò)單晶，無(wú)位錯(cuò)硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無(wú)位錯(cuò)硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團(tuán)、自間隙原子團(tuán)、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱(chēng)為旋渦缺陷。熱加工過(guò)程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。

非平衡載流子壽命 　光照或電注入產(chǎn)生的附加電子和空穴瞬即復(fù)合而消失，它們平均存在的時(shí)間稱(chēng)為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數(shù)、反向電流和開(kāi)關(guān)特性等均有關(guān)系。壽命值又間接地反映硅單晶的純度，存在重金屬雜質(zhì)會(huì)使壽命值大大降低。

在研究和生產(chǎn)中，硅材料與硅器件相互促進(jìn)。在第二次世界大戰(zhàn)中，開(kāi)始用硅制作雷達(dá)的高頻晶體檢波器。所用的硅純度很低又非單晶體。1950年制出只硅晶體管，提高了人們制備硅單晶的興趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅單晶成功。1953年又研究出無(wú)坩堝區(qū)域熔化法(FZ)，既可進(jìn)行物理提純又能拉制單晶。1955年開(kāi)始采用鋅還原四氯化硅法生產(chǎn)純硅，但不能滿(mǎn)足制造晶體管的要求。

國(guó)際可再生能源署(IRENA)的一項(xiàng)研究證實(shí)：到2050年，世界范圍內(nèi)報(bào)廢的光伏電池板數(shù)量將達(dá)到數(shù)千萬(wàn)噸(特別是在中國(guó)、美國(guó)、日本、印度和德國(guó))——回收后價(jià)值將超過(guò)150億美元。 僅在中國(guó)，2020年廢棄的光伏組件就將達(dá)到2000萬(wàn)噸，是埃菲爾鐵塔重量的2000倍。

回收廠能夠回收晶體硅光伏板中95%的材料。而此前，老化或破損的太陽(yáng)能電池板通常被送到玻璃回收設(shè)施中，僅對(duì)玻璃和鋁框架進(jìn)行回收。而剩下的材料會(huì)被送往水泥爐中作焚燒處理。此外，玻璃回收廠只能將太陽(yáng)能電池板的特種玻璃杯回收后與其它普通玻璃混合，造成了浪費(fèi)。

全球光伏回收產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)潛力，國(guó)際能源署預(yù)計(jì)到2050年全球?qū)⒂薪?000萬(wàn)噸，約43億塊報(bào)廢光伏組件需要處理，由于玻璃、鋁、硅等材料、以及銀、銦等稀有元素可以回收回用，回收也將產(chǎn)生約150億美元的市場(chǎng)價(jià)值；中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)到2030年中國(guó)也將面臨回收150萬(wàn)噸報(bào)廢組件，2050年將達(dá)到2000萬(wàn)噸，隨著近年來(lái)的大規(guī)模既有項(xiàng)目的技改，中國(guó)光伏回收高峰將提前到來(lái)。

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