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DTS燒結(jié)銀盤上海DTS國(guó)產(chǎn)DTS

更新時(shí)間1:2025-10-08 信息編號(hào):7e34qmf8odd8d4 舉報(bào)維權(quán)
DTS燒結(jié)銀盤上海DTS國(guó)產(chǎn)DTS
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供應(yīng)商 善仁(浙江)新材料科技有限公司 店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià) 人民幣 1200.00
加工定制
熔點(diǎn) 450℃
材質(zhì)
關(guān)鍵詞 DTS預(yù)燒結(jié)銀焊片,DTS燒結(jié)銀盤,DTS系統(tǒng),DTS焊片
所在地 浙江嘉興嘉善縣姚莊鎮(zhèn)寶群東路159號(hào)-2二層
劉志
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5年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝,以應(yīng)用于電動(dòng)車逆變器SiC導(dǎo)線架技術(shù)為例,導(dǎo)線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù),

在成型技術(shù)也相當(dāng)困難,由于電鍍銀是局部鍍銀,相較于全鍍,部分鍍銀技術(shù)很難,做模具,且放置芯片處用局部銀,一個(gè)導(dǎo)線架搭兩個(gè)芯片,芯片局部銀,其他引線框架用鎳鈀金,材料差異對(duì)引線框架制作是很大的技術(shù)挑戰(zhàn)。

眾所周知,在單管封裝中,影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導(dǎo)熱率為370W/(m.K),遠(yuǎn)IGBT的Si(124W/(m.K)),甚至超過(guò)金屬鋁(220W/(m.K)),與Lead Frame的銅(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的導(dǎo)熱率才60 W/(m.K)左右,典型厚度在50-100um,所占整個(gè)器件內(nèi)部Rth(j-c)熱阻之權(quán)重,是不言而喻的。

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等??煞譃楣β蔍C和功率分立器件兩大類,二者集成為功率模塊(包含MOSFET/IGBT模塊、IPM模塊、PIM模塊)。隨著電力電子模塊的功率密度、工作溫度及其對(duì)可靠性的要求越來(lái)越高,當(dāng)前的封裝材料已經(jīng)達(dá)到了應(yīng)用極限。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)的使用方法為:Pick & Place;

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以廣泛用于:Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片的Diffusion Soldering(擴(kuò)散焊)技術(shù)。簡(jiǎn)而言之,就是在特定溫度和壓力條件下,使得SiC芯片的背面金屬,與Lead Frame表面金屬產(chǎn)生原子的相互擴(kuò)散,形成可靠的冶金連接,以釜底抽薪之勢(shì),一舉省去中間焊料,所謂大道至簡(jiǎn)、惟精惟一,惟GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片。一言以蔽之:采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片時(shí),降低器件穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱阻,同時(shí)提高器件可靠性。

所屬分類:電子材料/測(cè)量?jī)x/焊接材料

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