新一代比老一代：頻率更高、容量更大、速度更快、電壓更低，DDR4加快普及中，成為市場主流，不同代內(nèi)存條可通過內(nèi)存上的標(biāo)簽貼紙或看防呆口位置就可以分辨。
內(nèi)存時序，就是CPU從內(nèi)存中找到數(shù)據(jù)的延時時間，相同規(guī)格下（DDR代數(shù)、頻率等等），時序越小，延時越低，內(nèi)存性能越好。
由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM(隨機(jī)存取存儲器)一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。Q句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。
眾所周知，電子呆料原裝芯片庫存的回收不僅防止了資源的浪費(fèi)，降低了電子污染的出現(xiàn)頻率，而且也不會因隨意丟棄而危害環(huán)境，廢舊電子料可以加強(qiáng)對電子廢物的回收再利用，對于防止和減少環(huán)境污染，提升資源利用水平，推動經(jīng)濟(jì)循環(huán)的發(fā)展，完善再生資源回收，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展都具有重要意義。
電子回收
集成電路的技術(shù)水平和發(fā)展規(guī)模是衡量一個國家產(chǎn)業(yè)競爭力和綜合國力的重要標(biāo)志之一，芯片的研發(fā)與生產(chǎn)能力，也是衡量一個國家創(chuàng)新實(shí)力的重要指標(biāo)。
芯片制造，要將沙子，經(jīng)過篩選和熔煉，能夠冶煉出高純度的硅（Si），制作成硅錠，然后將硅錠切割成薄片，也就是晶圓（Wafer）開始，到后測試、切割、封裝，就成為了我們平時能夠看到的CPU芯片。整個制作流程，將近5000道工序，把數(shù)億個晶體管，在一片只有指甲蓋大小的硅晶片上制造出來，還要進(jìn)行復(fù)雜的邏輯設(shè)計(jì)，難度不亞于把全國的路網(wǎng)，規(guī)劃到這一點(diǎn)點(diǎn)的空間里面。
據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2018年半導(dǎo)體總銷量預(yù)計(jì)可達(dá)4510億美元(約2.86萬億元)，同期增長9.5%。中國是全世界大的半導(dǎo)體消費(fèi)國，占全球芯片需求量的超50%。
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