當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質,使用加大介質層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質材料就成了當務之急。在高介電柵介質材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品
Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。
五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭（Ta2O5）為白色無色結晶粉末，是鉭常見的氧化物，也是鉭在空氣中燃燒生成的終產物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學玻璃用，化工中可作催化劑
但鉭在熱的中能被腐蝕，在150℃以下，鉭不會被腐蝕，只有在此溫度才會有反應，在175度的中1年，被腐蝕的厚度為0.0004毫米，將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年，表層僅損傷0.006毫米
鉭還有非常出色的化學性質，具有的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件下，對鹽酸、及“王水”都不反應。
鉭磁控濺射靶材所具有的特性，使它的應用領域十分廣闊
中國鉭工業(yè)始于20世紀60年代 。中國初期鉭冶煉、加工生產規(guī)模、技術水平、產品檔次和質量狀況與發(fā)達國家比較相差甚遠。自90年代，特別是1995年以來，中國鉭生產應用呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢，如今，中國鉭工業(yè)已實現(xiàn)了“從小到大、從軍到民、從內到外”的轉變，形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應用的工業(yè)體系，高、中、低端產品的進入了國際市場，中國成為世界鉭冶煉加工第三強國，進入世界鉭工業(yè)大國的行列
在制取各種無機酸的設備中，鉭可用來替代不銹鋼，壽命可比不銹鋼提高幾十倍
電容器是鉭的主要終消費領域，約占總消費量的60%。美國是鉭消費量的國家，1997年消費量達500噸，其中60%用于生產鉭電容器。日本是鉭消費的第國，消費量為334噸。
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