內(nèi)存容量，當(dāng)然容量越大越好，內(nèi)存頻率，內(nèi)存讀寫(xiě)速度，由頻率決定，頻率越高，性能越強(qiáng)，內(nèi)存顆粒，全世界能生產(chǎn)內(nèi)存顆粒，，優(yōu)選三星的顆粒。

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。

電子回收
集成電路的技術(shù)水平和發(fā)展規(guī)模是衡量一個(gè)國(guó)家產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力和綜合國(guó)力的重要標(biāo)志之一，芯片的研發(fā)與生產(chǎn)能力，也是衡量一個(gè)國(guó)家創(chuàng)新實(shí)力的重要指標(biāo)。
芯片制造，要將沙子，經(jīng)過(guò)篩選和熔煉，能夠冶煉出高純度的硅（Si），制作成硅錠，然后將硅錠切割成薄片，也就是晶圓（Wafer）開(kāi)始，到后測(cè)試、切割、封裝，就成為了我們平時(shí)能夠看到的CPU芯片。整個(gè)制作流程，將近5000道工序，把數(shù)億個(gè)晶體管，在一片只有指甲蓋大小的硅晶片上制造出來(lái)，還要進(jìn)行復(fù)雜的邏輯設(shè)計(jì)，難度不亞于把全國(guó)的路網(wǎng)，規(guī)劃到這一點(diǎn)點(diǎn)的空間里面。
據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2018年半導(dǎo)體總銷(xiāo)量預(yù)計(jì)可達(dá)4510億美元(約2.86萬(wàn)億元)，同期增長(zhǎng)9.5%。中國(guó)是全世界大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，占全球芯片需求量的超50%。

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