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本文從晶體生長(zhǎng)物理基礎(chǔ)和流體力學(xué)的基本理論出發(fā),結(jié)合硅單晶制備過程中熱質(zhì)輸運(yùn)的分析,采用實(shí)驗(yàn)和數(shù)值分析相結(jié)合的方法,以大直徑硅單晶制備為主要研究對(duì)象,研究熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)、控制參數(shù)和外加磁場(chǎng)對(duì)大直徑硅單晶生長(zhǎng)的影響。通過數(shù)值分析的手段,研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)和控制參數(shù)對(duì)晶體生長(zhǎng)特性的影響,確定了晶體制備的工藝條件;采用28inch和32inch熱場(chǎng)制備出400mm和45

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除塵機(jī)理示、擴(kuò)散當(dāng)含塵氣流中的粉塵顆粒粒徑小于1Lm 以下,特別小于0.1Lm 時(shí)，這些顆粒在隨氣流運(yùn)動(dòng)時(shí)不再沿著氣體流線繞流捕集物，因而也再不能遵循慣性碰撞或接觸阻留的機(jī)理被捕集物所捕集分離，而另一捕集機(jī)理——擴(kuò)散在起作用。由于氣體分子之間的熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的不規(guī)則運(yùn)動(dòng)，使氣體分子之間的熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的不規(guī)則運(yùn)動(dòng)，使氣體分子轟擊著粉塵顆粒而使顆粒作擴(kuò)散，可以使粉塵顆粒均勻地分布于整個(gè)氣體空間。真空技術(shù)網(wǎng)(認(rèn)為如果有一物體置于氣體之中，一些超微顆粒通過擴(kuò)散而沉降在這物體的表面上，從而使這些超微顆粒從氣體中捕集分離、靜電力懸浮在氣流中的塵粒，如帶有一定的電荷，可以通過靜電力使它從氣流中分離。由于自然狀態(tài)下，塵粒的荷電量很小，因此，要得到較好的除塵效果，設(shè)置的高壓電場(chǎng)，使所有的塵粒都充分荷電。凝聚凝聚作用不是一種直接的除塵機(jī)理。通過超聲波、蒸汽凝結(jié)、加濕等凝聚作用，可以使微小粒子凝聚增大，然后再用一般的除塵方法去除。我們?cè)O(shè)計(jì)除塵器時(shí)要根據(jù)不同的具體情況，考慮一定的需要，采用某種除塵機(jī)理或者是幾種除塵機(jī)理的綜合運(yùn)用。表1 列出幾種除塵機(jī)理的除塵情況供為參考。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉式單晶生長(zhǎng)爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長(zhǎng)爐的制作方法、技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長(zhǎng)爐。背景技術(shù)：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導(dǎo)流筒，IO為爐底護(hù)盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長(zhǎng)過程中需要向爐內(nèi)不斷充入，并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合，由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。

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