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單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術為便于分析研究起見，將整個除塵過程分為有聯(lián)系而又有區(qū)別的如下三個過程。捕集分離過程該過程可分為捕集推移階段和分離階段。 捕集推移階段 均勻混合或懸浮在氣體中的粉塵進入除塵器的除塵空間，根據(jù)不同的除塵器類型經(jīng)受不同的外力作用，將粉塵推移到分離界面。隨著粉塵向分離界面推移，濃度也越來越大，故捕集推移階段實質也是粉塵濃縮的階段。分離階段 高濃度的塵流向分離界面以后，有兩種機理在起作用：氣體運載粉塵的能力將達到極限狀態(tài)，懸浮與沉降這對矛盾中，沉降成為主要方面，通過沉降，粉塵從氣體中分離出來。極限狀態(tài)的影響因素一般與氣流速度及邊壁的邊界條件有關。
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硅片是制作集成電路的重要材料，通過對硅片進行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力。科學技術的發(fā)展不斷推動著半導體的發(fā)展。自動化和計算機等技術發(fā)展，使硅片（集成電路）這種高技術產品的造價已降到十分低廉的程度。這使得硅片已廣泛應用于航天、工業(yè)、農業(yè)和，甚悄悄進入每一個家庭。硅片回收利用介紹硅片回收再利用是一種從廢物中分離出來的有用物質經(jīng)過物理或機械加工成為再利用的制作如廢玻璃、廢金屬、硅片，廢電池片的回收再利用指以將再次生產的方式。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，本發(fā)明的直拉式單晶生長爐中，經(jīng) 輸入管輸入的氣壓為0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量為30L/min。 該流量不但不影響該爐中單晶的生長，平均每個直拉式單晶生長爐每 天可少消耗1440L，有效降低了生產成本，且利于在硅單晶生長過程 中單晶分子排列結構的整齊性，還利于提高電阻率的均布性。(2)本發(fā)明 的直拉式單晶生長爐中，碗形的氣流導向裝置設于坩堝支持器下方和爐底部的排氣口之間，且氣流導向裝置的中軸孔及一對電極孔分別與該爐的石 墨中軸及一對電極孔配合設置，有效地減小了爐內空間，便于迅速及時地 將爐內的一氧化硅與的混合氣體排出，且利于減少熱能和的消耗量，使原有的引晶功率從65KW減到61KW;另外，由于該爐的排氣口與氣流 導向裝置的各通氣孔相連通，
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