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大直徑硅單晶的制備與數值分析\大直徑硅單晶是微電子工業(yè)的基礎材料,廣泛應用于集成電路備件和硅片制造領域,是現今信息社會的基石。根據半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(SEMI)的報告,大直徑硅單晶的需求依然旺盛,450mm硅單晶要繼續(xù)開發(fā)研究。當前主流集成電路設備用部件急需400mm硅單晶并提出低成本的要求,開發(fā)400mm硅單晶和研究晶體制備的工藝過程,無疑具有重要的理論意義和現實需求。同時,開發(fā)下一代450mm集成電路用硅晶體、研究外加磁場對改善晶體質量的作用,對于我國未來制造450mm硅片具有重要的戰(zhàn)略意義。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，全文摘要為減少直拉式單晶生長爐的消耗的技術問題，本發(fā)明提供了一種直拉式單晶生長爐，其包括輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經輸入管輸入的氣壓為0.8×103Pa0.9×103Pa，流量為30L/min。還包括設于坩堝支持器下方和排氣口之間的碗形氣流導向裝置；其包括中軸孔、一對電極孔、以及與排氣口相對的通氣孔；石墨中軸穿過所述氣流導向裝置的中軸孔，所述電極柱分別穿過所述電極孔，排氣口與氣流導向裝置的各通氣孔相連通，氣流導向裝置的上端部設于保溫筒與發(fā)熱體之間。
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單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術為便于分析研究起見，將整個除塵過程分為有聯系而又有區(qū)別的如下三個過程。捕集分離過程該過程可分為捕集推移階段和分離階段。 捕集推移階段 均勻混合或懸浮在氣體中的粉塵進入除塵器的除塵空間，根據不同的除塵器類型經受不同的外力作用，將粉塵推移到分離界面。隨著粉塵向分離界面推移，濃度也越來越大，故捕集推移階段實質也是粉塵濃縮的階段。分離階段 高濃度的塵流向分離界面以后，有兩種機理在起作用：氣體運載粉塵的能力將達到極限狀態(tài)，懸浮與沉降這對矛盾中，沉降成為主要方面，通過沉降，粉塵從氣體中分離出來。極限狀態(tài)的影響因素一般與氣流速度及邊壁的邊界條件有關。
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