當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當務之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品
Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。
鉭 Ta，金屬元素，主要存在于鉭鐵礦中，同鈮共生。鉭的硬度適中，富有延展性，可以拉成細絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。鉭有非常出色的化學性質(zhì)，具有的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件下，對鹽酸、及“王水”都不反應
但鉭在熱的中能被腐蝕，在150℃以下，鉭不會被腐蝕，只有在此溫度才會有反應，在175度的中1年，被腐蝕的厚度為0.0004毫米，將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年，表層僅損傷0.006毫米
鉭磁控濺射靶材所具有的特性，使它的應用領域十分廣闊
廢鉭的主要礦物有：鉭鐵礦[(Fe,Mn)(Ta,Nb)2O6]、重鉭鐵礦(FeTa2O6)、細晶石[(Na,Ca)Ta2O6(O,OH,F)]和黑稀金礦[(Y,Ca,Ce,U,Th)(Nb,Ta,Ti)2O6]等。煉錫的廢渣中含有廢鉭，也是廢鉭的重要資源。
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