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直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長爐的制作方法、技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術(shù)：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導(dǎo)流筒，IO為爐底護盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內(nèi)不斷充入，并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合，由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。

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單晶爐型號定義\單晶爐型號有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號是由裝料量來決定的\單晶爐主要需要控制的方面一、晶體直徑（尺寸）二、溫度（功率控制）三、原料（硅料）四、泄漏率，質(zhì)量等\本文由rxl提供，歡迎大家完善分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，而采用有限元法數(shù)值模擬是一種優(yōu)化單晶爐設(shè)計的重要工具。本文對采用矮加熱器的復(fù)合式熱場進行了數(shù)值模擬,得到了流場分布圖和熱場溫度分布圖。對新型熱屏和矮加熱器對晶體生長的影響進行了系統(tǒng)的理論分析和實驗驗工作。結(jié)果表明,新型熱屏不僅起到導(dǎo)流筒的作用,改進了流場,使單晶氧含量下降;而且熱屏解決了大直徑單晶生長中結(jié)晶潛熱難以散發(fā)的問題,大大提高了拉晶速率,降低了生產(chǎn)成本。

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