內(nèi)存容量，當(dāng)然容量越大越好，內(nèi)存頻率，內(nèi)存讀寫速度，由頻率決定，頻率越高，性能越強，內(nèi)存顆粒，全世界能生產(chǎn)內(nèi)存顆粒，，優(yōu)選三星的顆粒。
由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM(隨機存取存儲器)一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。Q句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。
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