大面積燒結(jié)銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的
傳統(tǒng)功率模塊中，芯片通常通過(guò)錫焊材料連接到基板。在熱循環(huán)過(guò)程中，連接界面通過(guò)形成金屬間化合物層形成芯片、錫焊料合金與基板的互聯(lián)

目前電子封裝中常用的無(wú)鉛焊料熔點(diǎn)低于250℃，適用于低于150℃的服役溫度。然而，在175-200℃乃至更高的使用溫度下，這些連接層的性能將下降甚至熔化，嚴(yán)重影響模塊的正常運(yùn)行和長(zhǎng)期可靠性。

2018年標(biāo)志性的轉(zhuǎn)變---使用碳化硅MOSFET替換傳統(tǒng)硅基IGBT于主驅(qū)逆變器中，為碳化硅技術(shù)在電動(dòng)汽車中的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。此后，多家國(guó)內(nèi)新能源汽車品牌紛紛投身碳化硅器件的研發(fā)應(yīng)用。新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，如800V高壓快充，以及新能源汽車市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)張，促進(jìn)了碳化硅的飛速發(fā)展。

從2017年起，善仁新材在燒結(jié)銀材料的研發(fā)與生產(chǎn)方面走在行業(yè)，提供多款產(chǎn)品以適應(yīng)各種應(yīng)用場(chǎng)景。從AS9000系列銀墨水，到AS9100系列納米銀漿、再到AS9300系列燒結(jié)銀膏，善仁新材一直燒結(jié)銀的技術(shù)應(yīng)用，以滿足市場(chǎng)的多樣化需求。

大面積燒結(jié)銀的應(yīng)用拓展
SHAREX善仁新材的燒結(jié)銀技術(shù)作為封裝領(lǐng)域的一個(gè)突破，憑借無(wú)鉛、環(huán)保性和的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能獲得了廣泛關(guān)注。該技術(shù)已在市場(chǎng)上得到了大范圍的認(rèn)可。在逆變器系統(tǒng)中，燒結(jié)銀可以被應(yīng)用于芯片與氮化硅AMB基板的邦定；或用于DTS燒結(jié)芯片頂部處理；或再將功率模塊焊接到散熱器底板上。

AS9378燒結(jié)銀的低溫低壓燒結(jié)效果好：為了適應(yīng)大面積燒結(jié)，燒結(jié)銀膏需要較低的溫度和壓力下達(dá)到良好的燒結(jié)效果，同時(shí)需要確保燒結(jié)質(zhì)量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發(fā)的納米銀粉解決了這一問(wèn)題。

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  12000元

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