浦東回收3G模塊 收購(gòu)鎂光NOR閃存

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ECQE1A184JF3，ECQE4334RKF，MIC5365-1.0YMT-TZ，F(xiàn)K18SM-10，SMV1408-230，TLV9001IDCKR，F(xiàn)DC645N，MX29LV160CTMC-70G，ERG3SJW431E，ML958K55，74AC11008PWR，ERJP06F84R5V，BM2P104QF，ERJ2GEJ132X，DSC1104BE2-027.0000T，IPW60R031CFD7，AP2151AS-13，HF3FF/003-1ZSTF，CL2171JBANNNC，LT6658BHMSE-2.5#TRPBF，F(xiàn)BNL85ANAKDBABH6-S8，ADG442BRZ，GRM0332C2A8R1DA01#，OPA1612AIDRGT，XCKU085-1FBGB1760C，ERJXGNF38R3Y，CY8125PVQ-482，ADSP-SC587BBCZ-4B，TPS79201DBVR，APX803L05-35C3，5962-9685301Q2A，LCMXO2-640ZE-1TG100C，S25FL064LABNFB013，AMK325ABJ157MM-P，TLV2254IN，ISL26329，M474A1G43DB1-CRC，AC0805KKX7R0BB683，SFBLM，MT28C256564W18TFT-705TBWTES，GQM1555C2D7R3WB01#，BAS21TH，G5400，LT1462CS8#TRPBF，Si53326-B-GM，HMC-T2240，GD25WD40CTEG，HF13F/036-2H2TGD，BGM210LA22JIF，CDBMS140-HF

于是，為了進(jìn)一步減小解決方案的尺寸，有許多多輸出IC可供選擇。這些IC通常包括集成的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，同時(shí)至少要求配置有外部組件。而且，單就這些IC而言，其成本或許更為昂貴。通過(guò)減少生產(chǎn)過(guò)程中安裝到位的外部組件數(shù)量所獲得的收益，往往會(huì)抵消前期付出的高昂成本。采用何種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)呢?在如所示的實(shí)際應(yīng)用中，由于空間的限制，所以LDO將成為我們的。然而，由于功耗和效率的限制，實(shí)際情況并非總是如此。

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