新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應用于電動車逆變器SiC導線架技術為例，導線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結銀AS9385連接技術，
眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導熱率為370W/(m.K)，遠IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的導熱率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整個器件內(nèi)部Rth(j-c)熱阻之權重，是不言而喻的。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能夠將電力電子模塊的使用壽命延長50多倍，并確保芯片的載流容量提高50%以上。
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