內(nèi)存容量，當(dāng)然容量越大越好，內(nèi)存頻率，內(nèi)存讀寫速度，由頻率決定，頻率越高，性能越強，內(nèi)存顆粒，全世界能生產(chǎn)內(nèi)存顆粒，，優(yōu)選三星的顆粒。
閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是按區(qū)塊擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快，所以被稱為Flash erase EEPROM，或簡稱為Flash Memory。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。
隨著電子元器件回收行業(yè)的越來越火熱，目前很多人都開始加入到這個行業(yè)當(dāng)中，雖然讓工廠企業(yè)在選擇回收商家的時候，有了更多的選擇，但是也讓工廠企業(yè)在選擇方面比較困難，分不清哪些是正規(guī)的，哪些是正規(guī)的，甚至壓根不知道去哪里找回收商家，而撥打電話是為直接的方式，那么回收電子元器件公司的電子聯(lián)系方式自然是工廠企業(yè)需要在掌握的。
芯片，又稱微電路、微芯片、集成電路。指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，作用很大。有人做了形象的比喻，如果把中央處理器CPU比喻為整個電腦或者手機系統(tǒng)的心臟，那么主板上的芯片組就是整個身體的軀干。
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