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蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng)）形成薄膜。?

對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)程，終形成薄膜。

在光學(xué)薄膜的尺度上看（也就是1/10波長(zhǎng)作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見(jiàn)光波長(zhǎng)的1/10范圍內(nèi)，也就是說(shuō)對(duì)于薄膜的光學(xué)特性來(lái)說(shuō)，真空鍍膜沒(méi)有任何障礙。?

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差（因?yàn)槭敲}沖濺射），晶向（外沿）生長(zhǎng)的控制也比較一般。

3. 開(kāi)維持泵、真空計(jì)電源，真空計(jì)檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。
4. 開(kāi)機(jī)械泵、予抽，開(kāi)渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計(jì)開(kāi)關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。
5. 觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)予抽，開(kāi)前機(jī)和
高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開(kāi)右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開(kāi)電子槍電源。 1. 總電源。
2. 同時(shí)開(kāi)電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開(kāi)關(guān)，延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮，三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅，若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障，保護(hù)燈會(huì)常亮。
3. 開(kāi)高壓，高壓會(huì)達(dá)到10KV以上，調(diào)節(jié)束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動(dòng)。 1. 關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。
2. 待分子泵顯示到50時(shí)，依次關(guān)高閥、前級(jí)、機(jī)械泵，這期間約需40分鐘。

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抽空時(shí)間相同，而真空度偏低，這時(shí)候關(guān)閉主閥，如真空計(jì)指針很快下降，多數(shù)情況是真空室漏，應(yīng)先查出漏點(diǎn)。如真空計(jì)指針下降很慢，多數(shù)情況是真空機(jī)組抽氣能力不夠，查找真空泵及閥門看哪里出現(xiàn)泄漏，或是擴(kuò)散泵油污染或氧化；或前級(jí)管路密封不好，泵油不足；或泵油乳化，軸封漏油等。漏--分內(nèi)漏和外漏，較大的漏點(diǎn)可以用火焰法，利用氣流能使火焰偏離的原理，先抽上真空，比如用蠟燭或打火機(jī)在可疑點(diǎn)附近逐步查尋，會(huì)發(fā)現(xiàn)火苗向漏點(diǎn)偏移，則可找到漏點(diǎn)。查找小漏和微漏：利用在高真空狀態(tài)下電離管對(duì)某些氣體反應(yīng)敏感來(lái)檢漏，比如丙酮或乙醇，用醫(yī)用注射器向可疑的地方噴射丙酮或乙醇，噴到漏點(diǎn)時(shí)，電離計(jì)的指針會(huì)有明顯擺動(dòng)。用這種方法檢漏一定要有耐心，一定要等到電離計(jì)的示值穩(wěn)定了--也就是真空機(jī)組的抽氣能力和漏率平衡了，然后再噴射。好是反復(fù)幾次，確認(rèn)漏點(diǎn)。內(nèi)漏多發(fā)生在有水冷套的設(shè)備上，查外漏沒(méi)有發(fā)現(xiàn)疑點(diǎn)，但是卻有以下現(xiàn)象：機(jī)械泵的抽速明顯偏低、真空計(jì)示值低、機(jī)械泵油很快乳化、真空室內(nèi)的鐵基零部件明顯銹蝕。具備以上條件基本可以確定有內(nèi)漏。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。
蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng)）形成薄膜。 對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)程，終形成薄膜。

利摘要顯示，本申請(qǐng)關(guān)于一種真空鍍膜自動(dòng)加料裝置，涉及真空鍍膜領(lǐng)域。該真空鍍膜自動(dòng)加料裝置包括支架，支架上安裝有滑動(dòng)機(jī)構(gòu)，滑動(dòng)機(jī)構(gòu)上安裝有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)以及加料機(jī)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)力輸出端與加料機(jī)構(gòu)傳動(dòng)連接；加料機(jī)構(gòu)的上方還安裝有儲(chǔ)料罐，儲(chǔ)料罐將粉料輸送至加料機(jī)構(gòu)內(nèi)，加料機(jī)構(gòu)與外部管式爐的進(jìn)料口接駁；其中，儲(chǔ)料罐上還安裝有攪拌機(jī)構(gòu)，攪拌機(jī)構(gòu)將儲(chǔ)料罐內(nèi)的粉料均勻的輸送至加料機(jī)構(gòu)內(nèi)。實(shí)現(xiàn)了在CVD過(guò)程中，粉末狀態(tài)的蒸發(fā)材料（如派瑞林）少量、連續(xù)進(jìn)入管式爐以進(jìn)行后續(xù)的加熱、升華、裂解工藝，既滿足了蒸發(fā)材料的用量，又達(dá)到了實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)調(diào)整進(jìn)料量的目的，提升了鍍膜效果，并實(shí)現(xiàn)了一種以上的蒸發(fā)材料復(fù)合鍍膜的工藝需求。

裝飾真空鍍膜設(shè)備是蒸發(fā)式鍍膜裝置，在真空室中利用電阻加熱法，將緊貼在電阻絲上的金屬絲（鋁絲）熔融汽化，汽化了金屬分子沉積于基片上，而獲得光滑高反射率的膜層，達(dá)到裝飾美化物品表面的目的。

　　該設(shè)備具有：結(jié)構(gòu)合理，膜層均勻、成膜質(zhì)量好、抽速大、工作同期短、生產(chǎn)、操作方便，能耗低性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于汽車、音響、各類小家電、電腦、鐘表、玩具、手機(jī)、反光杯、化妝品、玩具等行業(yè)。

　　可加工的材料包括：ABS、PS、PP、PC、PVC、尼龍、金屬、波麗、玻璃、陶瓷、TPU等。

　　鍍制效果有：普通電鍍亮面、啞面（半啞、全?。?、工藝電鍍皺紋、拉絲、雨滴、七彩等；鍍制顏色有：金、銀、紅、藍(lán)、綠、紫、七彩等等。

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