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江蘇DTS善仁DTSDTS功率器件焊片

更新時間1:2025-10-08 信息編號:3f3he199g27922 舉報維權(quán)
江蘇DTS善仁DTSDTS功率器件焊片
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供應(yīng)商 善仁(浙江)新材料科技有限公司 店鋪
認(rèn)證
報價 人民幣 1200.00
加工定制
熔點 450℃
材質(zhì)
關(guān)鍵詞 DTS預(yù)燒結(jié)銀焊片,DTS+TCB焊片,DTS燒結(jié)銀盤,DTS射頻芯片焊片
所在地 浙江嘉興嘉善縣姚莊鎮(zhèn)寶群東路159號-2二層
劉志
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5年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝,以應(yīng)用于電動車逆變器SiC導(dǎo)線架技術(shù)為例,導(dǎo)線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù),

目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對可靠性和散熱高要求的市場,在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質(zhì)以符合燒結(jié)銀的搭接技術(shù)以外,由于燒結(jié)銀的膜厚只有20um-50um,不像傳統(tǒng)的錫膏搭接方式可通過錫膏量的調(diào)整補正搭接面平整度不佳造成的搭接問題,燒結(jié)銀的搭接技術(shù)對于搭接處的公共平面度要求公差只有20um,對于這種復(fù)雜的折彎成型式技術(shù)是一大挑戰(zhàn)。

眾所周知,在單管封裝中,影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導(dǎo)熱率為370W/(m.K),遠(yuǎn)IGBT的Si(124W/(m.K)),甚至超過金屬鋁(220W/(m.K)),與Lead Frame的銅(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的導(dǎo)熱率才60 W/(m.K)左右,典型厚度在50-100um,所占整個器件內(nèi)部Rth(j-c)熱阻之權(quán)重,是不言而喻的。

目前,客戶存的大痛點是鍵合時良率低,善仁新材推出的DTS預(yù)燒結(jié)焊片優(yōu)勢是:提高芯片的通流能力和功率循環(huán)能力,保護芯片以實現(xiàn)高良率的銅線鍵合。

善仁新材的GVF9700無壓預(yù)燒結(jié)焊盤和GVF9800有壓預(yù)燒結(jié)焊盤,為客戶帶來多重便利,包括無需印刷、點膠或干燥,GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片工藝(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以將銅鍵合線和燒結(jié)工藝很好結(jié)合在一起,同時具有較高的靈活性,可以同時讓多個鍵合線連接在預(yù)燒結(jié)焊盤上來進(jìn)行頂部連接。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)不僅能顯著提高芯片連接的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性,以及芯片連接的可靠性,并對整個模塊的性能進(jìn)行優(yōu)化,還能幫助客戶提高生產(chǎn)率,降低芯片的破損率,加速新一代電力電子模塊的上市時間。

所屬分類:電子材料/測量儀/焊接材料

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