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煙臺(tái)生產(chǎn)晶圓理片器硅片對(duì)邊器

更新時(shí)間1:2025-09-29 信息編號(hào):393e7ovnk2a981 舉報(bào)維權(quán)
煙臺(tái)生產(chǎn)晶圓理片器硅片對(duì)邊器
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供應(yīng)商 蘇州碩世微電子有限公司 店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià) 面議
關(guān)鍵詞 生產(chǎn)晶圓理片器,晶圓理片器硅片對(duì)邊器,煙臺(tái)晶圓理片器,出售晶圓理片器
所在地 江蘇蘇州園區(qū)東富路32號(hào)
張先生
򈊡򈊥򈊩򈊦򈊢򈊤򈊠򈊤򈊡򈊣򈊨 2625531768 򈊠򈊥򈊡򈊢-򈊦򈊢򈊣򈊨򈊦򈊡򈊤򈊩

13年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

產(chǎn)品特點(diǎn):

立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的直線型單臂機(jī)械手,具有高可靠性、高穩(wěn)定性。

設(shè)備配有FFU,采用全封閉結(jié)構(gòu),可發(fā)揮超潔凈性能,其潔凈度達(dá)Class1。

可實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓缺口的檢測(cè)并依據(jù)缺口位置對(duì)晶圓進(jìn)行定位。

配備CCD傳感器及圖像處理軟件,可對(duì)晶圓ID刻號(hào)進(jìn)行識(shí)別與讀?。?br />
可依據(jù)客戶需求,非標(biāo)定制。

晶圓在加工過(guò)程中,需要對(duì)其進(jìn)行劃片處理,目前現(xiàn)有的晶圓劃片設(shè)備村子按以下不足:1、晶圓初的放置隨意性較大,影響后續(xù)晶圓的對(duì)正工作;2、每次只能對(duì)晶圓的一個(gè)表面進(jìn)行劃片處理,導(dǎo)致正反面劃片的深度難以控制,增加了后期打磨的工作。

內(nèi)圓切割時(shí)晶片表層損害層大,給CMP產(chǎn)生挺大黔削拋光工作中;刃口寬。材料損害大。品片出率低;成木高。生產(chǎn)效率低;每一次只有切割一片。當(dāng)晶圓直徑達(dá)到300mm時(shí)。內(nèi)圓刀頭外徑將達(dá)到1.18m。內(nèi)徑為410mm。在生產(chǎn)制造、安裝與調(diào)節(jié)上產(chǎn)生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢(shì)線切別主導(dǎo)的晶圓切割技術(shù)。

頂面碎片(TSC, top-side chipping),它發(fā)生晶圓的頂面,變成一個(gè)合格率問(wèn)題,當(dāng)切片接近芯片的有源區(qū)域時(shí),主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進(jìn)給速度。背面碎片(BSC, back-side chipping)發(fā)生在晶圓的底面,當(dāng)大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴(kuò)散開并匯合到一起的時(shí)候(圖1b)。當(dāng)這些微小裂紋足夠長(zhǎng)而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時(shí)候,BSC變成一個(gè)合格率問(wèn)題。

切割參數(shù)對(duì)材料清除率有直接關(guān)系,它反過(guò)來(lái)影響刀片的性能和工藝效率。對(duì)于一個(gè)工藝為了優(yōu)化刀片,設(shè)計(jì)試驗(yàn)方法(DOE, designed experiment)可減少所需試驗(yàn)的次數(shù),并提供刀片特性與工藝參數(shù)的結(jié)合效果。另外,設(shè)計(jì)試驗(yàn)方法(DOE)的統(tǒng)計(jì)分析使得可以對(duì)有用信息的推斷,以建議達(dá)到甚至更高產(chǎn)出和/或更低資產(chǎn)擁有成本的進(jìn)一步工藝優(yōu)化。

切片工藝變得越來(lái)越且要求高。切割跡道變得越窄,可能充滿測(cè)試用衰耗器(test pad),并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達(dá)到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認(rèn)真的刀片選擇和的工藝控制能力。

所屬分類:電力電子/可控硅

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